1樓：更上百層樓
一、兩者的特點不同：
1、物理氣相沉積法的特點：物理氣相沉積法的沉積粒子能量可調節，反應活性高。通過等離子體或離子束介人，可以獲得所需的沉積粒子能量進行鍍膜，提高膜層質量。
通過等離子體的非平衡過程提高反應活性。
2、化學氣相沉積法的特點：能得到純度高、緻密性好、殘餘應力。
小、結晶良好的薄膜鍍層。由於反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對錶面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。
二、兩者的實質不同：
1、物理氣相沉積法的實質：用物理的方法（如蒸發、濺射等）使鍍膜材料汽化，在基體表面沉積成膜的方法。
2、化學氣相沉積法的實質：利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固介面上發生反應生成固態沉積物的過程。
三、兩者的應用不同：
1、物理氣相沉積法的應用：物理氣相沉積技術已廣泛用於各行各業，許多技術已實現工業化生產。
2、化學氣相沉積法的應用：化學氣相沉積法的鍍膜產品涉及到許多實用領域。
2樓：匿名使用者
太一般了，cvd,pcd包含了多種製備方法，通過不同的製備方法制得的薄膜的結構和性質是不太一樣的。然而，比一般的cvd法的pvd的穩定性更好，但pvd增長通過以下方式獲得的膜的膜是比較快的。
化學氣相沉積原理
3樓：帳號已登出
化學氣相沉積原理：化學氣相沉積(chemical vapor deposition 簡稱cvd) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固介面上發生反應生成固態沉積物的過程。
過程：化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附於基體表面、在基體表面上發生化學反應形成固態沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。
最常見的化學氣相沉辯皮積反應有：熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下：
1）沉積物種類多： 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求製備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2）cvd反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對於形狀複雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3）能得到純度高、緻密性好、殘餘應力小、結晶良好的薄膜鍍層。
4）由於薄膜生攜笑差長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5）利用調節沉積的引數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒公升睜度等。
6）裝置簡單、操作維修方便。
7）反應溫度太高，一般要850-1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住cvd的高溫。採用等離子或雷射輔助技術可以降低沉積溫度。
化學氣相沉積原理
4樓：網友
原理：化學氣相沉積。
技術是應用氣態物質在固體上產生化學反應。
和傳輸反應等併產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
1）形成揮發性物質 ；
2）把上述物質轉移至沉積區域 ；
3）在固體上產生化學反應併產生固態物質 。最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應譁伏以及化學傳輸反應等。
應用：現代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料。
必須塌禪是高純的，或者是在高純團蘆塵材料中有意地摻入某種雜質形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多製備方法如高溫熔鍊、水溶液中沉澱和結晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產品。因此，無機新材料的合成就成為現代材料科學中的主要課題。
物理氣相沉積和化學氣相沉積的區別及優缺點
5樓：魔法少女五條悟
化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。
物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態有改變。
物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無汙染，耗材少，成膜均勻緻密，與基體的結合力強。缺點膜一基結合力弱，鍍膜不耐磨， 並有方 向性。
化學雜質難以去除。優點可造金屬膜、非金屬膜，又可按要求製造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的繞射性好。
化學氣相沉積如何分類?
6樓：網友
化學氣相沉積可以按照沉積工藝和原料進行分類。
按照工藝來分，可以分為：金屬有機化合物化學氣相沉積技術(mocvd)、等離子化學氣相沉積(pcvd)、雷射化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、超真空化學氣相沉積、超聲波化學氣相沉積(uwcv）。
按照原料來分，可以分為化學氣相沉積si n 、si、si c、磷，硼等。
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