1樓：阡陌上花開
化學氣相法又稱化學氣相沉積法，其反應步驟為：
1、用流化床進行連續處理。所以流化床－cvd 法可以生產多種碳奈米管。碳奈米管不僅可以生長在微公尺級的聚團狀多孔催化劑顆粒上，也可生長在公釐級的陶瓷球的表面上，還可以生長在層狀無機氧化物的層間，以大量得到聚團狀的碳奈米管或公釐級長度的碳奈米管陣列。
2、在不同級上的催化劑採用不同溫度操作，從而可以調變催化劑的高溫活性以便提高碳奈米管的收率。
3、下行床與湍動床耦合的反應器技術可以調變催化劑還原與碳沉積的平衡，還能充分利用催化劑的活性，從而大批量製備高質量的單雙壁碳奈米管。
cvd是chemical vapor deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是乙個頗具特徵的技術領域。 其技術特徵在於：
1）高熔點物質能夠在低溫下合成；（2）析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；（3）不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。 例如，在1000℃左右可以合成a-al2o3、sic，而且正向更低溫度發展。
cvd工藝大體分為二種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物進行氣相反應；另一種是使加熱基體表面的原料氣體發生熱分解。 cvd的裝置由氣化部分、載氣精練部分、反應部分和排除氣體處理部分所構成。
目前，正在開發批量生產的新裝置。
2樓：北京中諾新材
1)不同成分氣相前置反應物由主流氣體進來，以擴散機制傳輸到基板表面。理想狀況下，前置物在基板上的濃度是零，亦即在基板上立刻反應，實際上並非如此。
2)前置反應物吸附在基板上，此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。
3)前置物在基板上進行化學反應，產生沉積物的化學分子，然後經積聚成核、遷移、成長等步驟，最後聯合一連續的膜。
4)把多餘的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。
5)被去吸附的氣體，以擴散機制傳輸到主流氣相，並經傳送排出。
何為化學氣相沉積（cvd）爐
3樓：鵝子野心
化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。
這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的澱積過程精確控制。
原理化學氣相沉積技術是應用氣態物質在固體上闡述化學反應併產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
1）形成揮發性物質 ；
2）把上述物質轉移至沉積區域 ；
3）在固體上產生化學反應併產生固態物質 。
最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。 [1]
特點1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2）可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。
3）採用等離子和雷射輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5）可以控制塗層的密度和塗層純度。
6）繞鍍件好。可在複雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種複雜形狀的工件。由於它的繞鍍效能好，所以可塗覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。
8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。
cvd（化學氣相沉積）的原理及應用是什麼
4樓：江西國材科技****
cvd（化學氣相沉積）是一種薄膜製備技術，其原理是在適當的氣氛中提供反應氣體，使其在基底表面發生祥困化學反應並沉積形成薄膜。以下是cvd的基本原理和應用：
原理：1. 反應氣體**：選擇適當的反應氣體或氣體混合物，通常是含有所需元素的化啟跡合物氣體。這些氣體通過供氣系統引入反應室。
2. 反應氣氛控制：調節反應室的溫度和壓力等引數，以適應所需的反應條件。控制反應氣氛是確保化學反應發生的關鍵。
3. 化學反應：在適當的溫度和壓力下，反應氣體發生化學反應，生成反應產物。這些反應可以是氣相反應、氣體解離、沉積和表面擴散等。
4. 沉積：反應產物以固體形式沉積在基底表面，逐漸生長形成薄膜。沉積速率和悄宴並薄膜的性質受到反應條件的影響。
應用：cvd技術具有廣泛的應用，包括但不限於以下領域：
1. 半導體工業：cvd用於製備半導體材料的薄膜，例如多晶矽、氮化矽和氧化矽等。這些薄膜在積體電路、太陽能電池和顯示器等器件中起著關鍵作用。
2. 光學塗層：cvd用於製備光學塗層，例如抗反射塗層、反射鏡和光學濾波器等。這些塗層可用於改善光學元件的效能和特性。
3. 陶瓷塗層：cvd用於製備陶瓷塗層，例如氮化硼、碳化矽和氧化鋁等。這些塗層具有高硬度、耐磨性和耐高溫效能，用於提高材料的表面效能。
4. 化學感測器：cvd用於製備氣敏材料的薄膜，用於製備化學感測器。這些薄膜可用於檢測和測量氣體、液體或固體的化學成分。
5. 金屬塗層：cvd可用於製備金屬塗層，例如鍍鉻、鍍鋅和鍍金等。這些塗。
5樓：越晗蕾溥陽
其含義c是氣3相中3化1學反5應的固體產物沉積到表面。cvd裝置由下k列部件組成；反7應物**系統，氣3相反7應器，氣4流傳送系統。反6應物多為0金屬氯化8物，先被加熱到一g定溫度，達到足夠高的蒸汽壓，用載氣5（一s般為6ar或h3）送入v反4應器。
如果某襲虛伏種金屬不a能形成高壓氯化4物蒸汽，就代之d以8有機金屬化2合物。在反2應器內4，被塗材料或用金屬絲懸掛，或放在平面上y，或沉沒在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的顆粒。化3學反3應器中7發生，產物就會沉積到被塗物表面，廢氣1（多為2hcl或hf）被導向鹼性吸收或冷阱。
沉積反3應可認4為5還原反2應、熱解反7應和取代反0應幾a類。cvd反3應可分6為5冷壁反7應與l熱壁反0應。在熱壁反1應中拍攜7，化1學反4應的發生與t被塗物同處一h室。
被塗物表面和反3應室的內1壁都塗上b一z層薄膜。在熱壁反8應器中1只加熱被塗物譽銷，反3應物另行匯入q。
化學沉積的化學氣相沉積cvd
6樓：粟嘉
(chemical vapor deposition)是利用加熱，等離子體激勵或光輻射等方法，使氣態或蒸汽狀態的化學物質發生反應並以原子態沉積在置於適當位置的襯底上，從而形成所需要的固態薄膜或塗層的過程。化學氣相沉積是一種非常靈活、應用極為廣泛的工藝方法，可以用來製備各種塗層、粉末、纖維和成型元器件。特別在半導體材料的生產方面，化學氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法（如分子束外延、液相外延）無與倫比的優越性，即使在化學性質完全不同的襯底上，利用化學氣相沉積也能產生出晶格常數與襯底匹配良好的外延薄膜。
此外，利用化學氣相沉積還可生產耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能塗層。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用cvd方法制備。
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