1樓：
橫軸畫v,縱軸畫a,過原點在第一象限任意畫一條直線即可。
如何測定圖所示的spd第四象限的正向伏安特性曲線 20
2樓：
實驗耗時短的感測器進入物理
課堂：運用感測器技術可使抽象的物理過程和概念具體化；可以提高資料採集的正確性，誤差小，資訊科技與物理教學整合也得到大力的開展。這種感測器相對於傳統實驗儀器存在很大的優勢。
有一種科技含量高，實時採集資料隨著新課程教材改革的推進
如何測定spd第四象限的正向伏安特性曲線
3樓：cloly天驕
橫軸畫v,縱軸畫a,過原點在第一象限任意畫一條直線即可。
測定蒲朗克常量中的伏安特性曲線有什麼用
4樓：
當然可以。正向部分就是加在光電管上的電壓由負變為正，一般測量儀上電壓都可以由-2v調節到正30v。只是這時候電流會比較大，所以電流表的量程要加大。
5樓：
乙個電壓值只能對應乙個電流值，這麼交叉？
6樓：讓甫薄又菡
只有乙個用途，就是當光電管所加的電壓是反向電壓時，如果光電流剛好為0時，對應的電壓叫反向截止電壓，這個電壓數值與光電子的最大初動能對應。
e*u反截止＝ekm
測量二極體伏安特性曲線時，為什麼正向曲線的測量要用
7樓：匿名使用者
行，無論正向或反向特性都是控制電壓來進行，因為二極體的正嚮導通、反向擊穿都是在電壓的作用下實現的，只有加了電壓，改變了二極體pn結的勢壘電場，才會有擴散或飄移電流。
在不知二極體的特性引數的情況下，限流電阻的阻值選擇1k檔。
當外加電壓達到克服二極體pn結的勢壘電場時，二極體開始導通，隨著外加電壓的增加，二極體導通的電流也逐漸增大。當外加電壓增大使二極體的導通電流增大到超過其極限正向電流時，二極體正向過電流燒毀，原來二極體的勢壘電場的電壓也變成零。
當外加電壓增強二極體pn結的勢壘電場時，二極體截止，隨著外加電壓的增加，二極體有微小的飄移電流，但飄移電流的增大變化很小，這就是二極體的反向截止現象。當外加電壓增大使二極體的飄移電流開始明顯增大時，這是二極體反向擊穿的臨界點。當繼續增大外加電壓後，二極體反向電流激增，二極體進入反向擊穿區。
如再增加外加電壓，二極體反向擊穿，原來的反向電壓為零，二極體反向過電壓擊穿燒毀。
如何快速測量出二極體的伏安特性曲線？
8樓：匿名使用者
從二極體的特性曲線上可以具體而直觀地看出各種二極體的效能。這條曲線按照其特點可分為死區、正嚮導通區、反向截止區和反向擊穿區4部分，下面分別進行分析。
(1)死區
當二極體上加的正向電壓比較小時，所形成的外部電場還不足以克服pn結內所建電位差對載流子的阻擋作用，因此二極體基本上處於不導通的狀態，即曲線的oa段。
當二極體上外加的正向電壓大於一定值對，就會克服內建電位差的阻擋，使二極體的電阻變小，流過二極體的電流迅速增大。使二極體電流迅速增大的這個臨界電壓稱為死區電壓，因為它像是門檻一樣，所以有人稱它為門檻電壓。超過這個電壓後，二極體的正向電流開始明顯增長，所以也稱它為導通電壓。
死區電壓的大小與半導體材料和環境溫度有關，一般室溫下（25℃時）鍺二極體為0.2v左右，矽二極體為0.6v左右，溫度每公升高1℃它們都大約降低2.5mv。
(2)正嚮導通區
如圖1-35中的ab段，當正向電壓超過死區電壓時，電流隨電壓的公升高顯著增大，就進入了正嚮導通區。通常所說的二極體正向電流就是指在曲線上正向電壓為1v時對應的正向電流值。
在二極體的正向特性曲線上，各點的電壓與電流的比值並不是常數，所以，各點的直流電阻並不相等，也就是對應不同的正向直流電壓（或電流）下具有不同的直流電阻。
圖1-36是用500型萬用表的歐姆擋xl0和×100兩擋測量二極體2ap14正向直流電阻的電路。萬用表的電池電壓e=1.5v，×10 -擋的電阻為r1=1ooω×100 一擋的電阻為r2=1kω。
用×10擋測量時，由於電阻小，所以通過二極體的電流就大，此電流在圖1-37所示的二極體2ap14正向特性曲線上對應工作點是q1，這時二極體上通過的電流為9ma，二極體兩端電壓為0.6v，那麼二極體的直流電阻為0.6/9=67ω；用×100擋測量時，由於表內電阻大，所以通過二極體的電流就小，在圖1-37所示的正向特性曲線上對應工作點是q2，這時二極體上通過的電流為1.
2ma，端電壓為0.3v，那麼，二極體的直流電阻為0.3/1.
2×10-3=250ω。 用萬用表的不同電阻擋去測量二極體的正向直流電阻時，測出的電阻值是不同的，這是由於它處於特性曲線上的不同位置。
(3)反向截止區
當二極體的兩端加上反向電壓時，pn結呈現出乙個非常大的電阻值，因此流過二極體的電流非常小，二極體處於截止狀態，特性曲線的這一段稱為反向截止區，即圖1-35中的oc段。這時p區和n區的少數載流子在pn結內建電位差電場力的作用下順利地通過，表現出乙個與電壓（在一定範圍內）關係不大的反向飽和電流，再加上pn結表面的一些漏電流，總的反向電流在室溫下小功率鍺二極體約為幾百微安，小功率矽二極體約為幾微安。二極體的反向電流隨溫度的公升高而增大，一般溫度每公升高10℃電流大約就會增大一倍，鍺二極體本來反向電流就比較大，所以在應用時要特別注意。
(4)反向擊穿區
當二極體上外加的反向電壓高到一定值時，有可能因外加的電場過強而把被束縛在pn結中的電子強行拉出，使少數載流子數目劇增，也可能由於強電場引起電子與原子碰撞，產生大量新的載流子，這兩種因素都會引起反向電流的急劇增大，稱為電擊穿，這時二極體的工作狀態就進入了反向擊穿區，如圖1-35所示的cd段。二極體開始出現電擊穿的電壓叫作反向擊穿電壓。
測量二極體伏安特性,分別用電流表外界,內接得到的正向,反向伏安特性曲線有什麼區別
9樓：斜陽紫煙
現在都用數字表，電流表低內阻電壓表高內阻，對測量兩種接法影響都不大。
電流表內阻98歐該是上古時期的東西了。
如果你的電壓表內阻不是特別小的話，電用表外接吧，二極體的伏安特性中電流值應該是比較大的。這種情況下，電流表外接，電壓表對電流讀數的影響會小很多。反過電流表的內阻影響就很大。
至於特性有什麼區別，很簡單。98歐電阻的伏安曲線會疊加在二極體伏安曲線上。
已知sin cos m，且是第四象限的角，求值（1）sin22）sin cos
為第四象限角，則 sin 0，cos 0 sin cos m 1 2sin cos m 1 sin2 m sin2 m 1 sin cos 1 2sin cos 1 m 1 2 m 因為sin cos 0，則 sin cos 2 m 解 1 由 sin cos m 兩邊加平方，得 sin cos 2...
若點Ba,a3在第二象限和第四象限的角平分線上,則a
已知點m a,a 3 是第二,第四象限的角平分線上的一點，求a的值。第二,第四象限的角平分線為y x 因為在角平分線上，所以x y a 3 a 2a 3 a 3 2 因為在角平分線上，所以x y，又因為是 二 四象限，x y，a a 3 a 1.5 正確答案是a 1.5，百分百正確答案 望採納 a ...
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