1樓：生活暢談者
1、性質不同：雙基極二極體是具有兩個基極和乙個發射極的三端負阻半導體器件。二極體是用半導體材料(矽、硒、鍺等)製成的一種電子器件。
2、應用不同：普通二極體在積體電路中的作用很多，維持著積體電路正常工作。由於雙基極二極體是乙個負阻器件，每乙個電流值都會對應乙個確定的電壓值，但每乙個電壓值則可能有不同的電流值。
根據這一點，可在維持電壓不變的情況下，使電流產生躍變，就可以獲得較大的脈衝電流。
3、特點不同：雙基極二極體在一塊高電阻率的n型半導體基片的兩端各引出乙個鋁電極。普通二極體當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極體截止。
因此二極體的導通和截止，則相當於開關的接通與斷開。
2樓：網友
雖然它也叫「二極體」，但與一般意義上的二極體用途完全不一樣，最典型的應用就是做張弛振盪電路。
詳見文庫資料。
3樓：小灰馬
雙基極二極體又稱單結電晶體，具有兩個基極，乙個發射極的三端負阻器件，它具有頻率易調、溫度穩定性好等特點，用於張馳振盪電路，定時電壓讀出電路中。
雙基極二極體有兩個基極和乙個發射極，兩個基極分別由bl和b2表示，發射極用e表示。圖的(b)為雙基極二極體的圖形符號。
雙基極二極體的主要引數。
1）基極間電阻rbb：發射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為2--10千歐，其數值隨溫度上公升而增大。
2）分壓比η：由管子內部結構決定的常數，一般為。
3）eb1間反向電壓vcb1：b2開路，在額定反向電壓vcb2下，基極b1與發射極e之間的反向耐壓。
4）反向電流ieo：b1開路，在額定反向電壓vcb2下，eb2間的反向電流。
5）發射極飽和壓降veo：在最大發射極額定電流時，eb1間的壓降。
6）峰點電流ip：單結電晶體剛開始導通時，發射極電壓為峰點電壓時的發射極電流。
雙基極二極體的極性判斷。
判斷單結電晶體發射極e的方法是：把萬用表置於r*100擋或r*1k擋，黑表筆接假設的發射極，紅表筆接另外兩極，當出現兩次低電阻時，黑表筆接的就是單結電晶體的發射極。
單結電晶體b1和b2的判斷方法是：把萬用表置於r*100擋或r*1k擋，用黑表筆接發射極，紅表筆分別接另外兩極，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是b1極。
應當說明的是，上述判別b1、b2的方法，不一定對所有的單結電晶體都適用，有個別管子的e--b1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪極是b1，哪極是b2在實際使用中並不特別重要。即使b1、b2用顛倒了，也不會使管子損壞，隻影響輸出脈衝的幅度（單結電晶體多作脈衝發生器使用），當發現輸出的脈衝幅度偏小時，只要將原來假定的b1、b2對調過來就可以了。
雙基極二極體的好壞判斷。
雙基極二極體效能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表r×1k檔，將黑表筆接發射極e，紅表筆依次接兩個基極（b1和b2），正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發射極e，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。
雙基極二極體兩個基極（b1和b2）之間的正、反向電阻值均為2～10kω範圍內，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極體已損壞。
什麼是雙極基二極體
4樓：網友
「雙極基二極體」不是二極體，正式名稱是單結電晶體。
單結電晶體是隻有乙個pn結作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極體。其典型結構是以乙個均勻輕摻雜高電阻率的n型單晶半導體作為基區，兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區中心或者偏向其中乙個極的位置上用淺擴散法重摻雜製成 pn結作為發射極(圖中)。當基極b1和b2之間加上電壓時（圖中b），電流從b2流向b1,並在結處基區對b1的電勢形成反偏狀態。
如果將乙個訊號加在發射極上，且此訊號超過原反偏電勢時，器件呈導電狀態。一旦正偏狀態出現，便有大量空穴注入基區，使發射極和b1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，並保持導通狀態，改變兩個基極間的偏置或改變發射極訊號才能使器件恢復原始狀態。因此，這種器件顯示出典型的負阻特性（見圖c）,特別適用於開關係統中的弛張振盪器，可用於定時電路、控制電路和讀出電路。
5樓：網友
雙基極二極體內部結構及引腳測量方法。
pn結合二極體是乙個概念麼？
6樓：網友
最流行的半導體二極體是利用了pn結，但二極體不一定都要有pn結。
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