1樓：匿名使用者
pn結中的阻擋層是指的p型半導體和n型半導體結合時，多子自然擴散形成的反向電場區，和空間電荷沒有關係。
在pn結施加反向電壓，會加強結內的反向電場，只能有很小的反向電流。當反向電流達到一定數值時，就不能再增加電壓了，否則就會突然增大而造成擊穿破壞。這個接近擊穿的反向電流，被稱為反向飽和電流。
二極體是由pn結構成的，因為正向要克服反向電場才能夠實現導通，所以有門檻電壓。
明明pn結有小電壓就會有電流啊，沒錯呀。但是，要電流快速增加，實現導通，就必須讓電壓超過門檻。
這個小電壓不論正向電壓是多少，二極體管壓降不變？其實，二極體的電流還是會隨著電壓的增加而增加的，只不過二極體導通之後，很小的電壓增加，就會導致很大的電流增加。這一點，被稱為電流飽和。
2樓：教育解答蘭兒老師
回答您好，下面由我為您解決您的疑慮，希望可以幫助到您。
二極體pn結：採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結。
pn結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
從pn結的形成原理可以看出，要想讓pn結導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加乙個反方向的更大的電場，即p區接外加電源的正極，n區結負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，pn結不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。
當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終pn結將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇增大。
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關於二極體的pn結幾個問題
3樓：匿名使用者
pn結的形成與單向導電性 幾乎所有的半導體器件都是由不同數量和結構的pn結構成的， 因此， 我們先來了解pn結的結構與特點。 1． pn結的形成 在一塊本徵半導體上通過某種摻雜工藝， 使其形成n型區和p型區兩部分後， 在它們的交界處就形成了乙個特殊薄層， 這就是pn結。 1） 多子的擴散運動建立內電場 如圖1-8（a）所示， �和� 分別代表p區和n區的受主和施主離子（為了簡便起見， 矽原子未畫出）， 由於 p區的多子是空穴， n區的多子是自由電子， 因此在p區和n區的交界處自由電子和空穴都要從高濃度處向低濃度處擴散。
這種載流子在濃度差作用下的定向運動， 叫做擴散運動。 多子擴散到對方區域後， 使對方區域的多子因復合而耗盡， 所以p區和n區的交界處就僅剩下了不能移動的帶電施主和受主離子， n區形成正離子區， p區形成負離子區， 形成了乙個電場方向從n區指向p區的空間電荷區， 這個電場稱為內建電場， 簡稱內電場， 如圖1-8（b）所示。 在這個區域內， 多子已擴散到對方因復合而消耗殆盡， 所以又稱耗盡層。
在耗盡層以外的區域仍呈電中性。 2） 內電場阻礙多子擴散、 幫助少子漂移運動， 形成平衡pn結由於內電場的方向是從n區指向p區， 因此這個內電場的方向對多子產生的電場力正好與其擴散方向相反， 對多子的擴散起了乙個阻礙的作用， 使多子擴散運動逐漸減弱。 內電場對p區和n區的少子同樣產生了電場力的作用。
由於p區的少子是自由電子， n區的少子是空穴， 因此內電場對少子的運動起到了加速的作用。 這種少數載流子在電場力作用下的定向移動， 稱為漂移運動， 如圖1-8（b）所示。 2． pn結的單向導電特性 未加外部電壓時， pn結內無巨集觀電流， 只有外加電壓時， pn結才顯示出單向導電性。
1） 外加正偏電壓時pn結導通 將pn結的p區接較高電位（比如電源的正極）， n區接較低電位（比如電源的負極）， 稱為給pn結加正向偏置電壓， 簡稱正偏， 如圖1-9所示。 pn結正偏時， 外加電場使pn結的平衡狀態被打破， 由於外電場與pn結的內電場方向相反， 內電場被削弱， 擴散增強， 漂移幾乎減弱為0， 因此， pn結中形成了以擴散電流為主的正向電流if。 因為多子數量較多， 所以if較大。
為了防止較大的if將pn結燒壞， 應串接限流電阻r。 擴散電流隨外加電壓的增加而增加， 當外加電壓增加到一定值後， 擴散電流隨正偏電壓的增大而呈指數上公升。 由於pn結對正向偏置呈現較小的電阻（理想狀態下可以看成是短路情況）， 因此稱之為正偏導通狀態。
2） 外加反偏電壓時pn結截止 將pn結的p區接較低電位（比如電源的負極）， n區接較高電位（比如電源的正極）， 稱為給pn結加反向偏置電壓， 簡稱反偏， 如圖1-10所示。 pn結反偏時， 外加電場方向與內電場方向相同， 內電場增強， 使多子擴散減弱到幾乎為零。 而漂移運動在內電場的作用下， 有所增強， 在pn結電路中形成了少子漂移電流。
漂移電流和正向電流的方向相反， 稱為反向電流ir。
4樓：匿名使用者
你今我空間裡面有資料
二極體pn結的特性
5樓：閉閒華臺宇
如圖3—2—1（a）所示，p—n結具有單向導向的特性，常用圖3—2—1（b）所示的符合表示。根據製作二極體時所用半導體材料的不同，又分為鍺二極體、矽二極體等。二極體的典型伏安特性曲線如圖3—2—2（a）所示，同圖（b）和（c）分別是它的正、反向測試電路。
當二極體兩端的電壓u為零時，電流i也應為零，所以特性曲線從座標原點開始。
圖3—2—1
圖3—2—2
由特性曲線看出，當二極體為正向接法時，隨著電壓u的逐漸增加，電流i也增加。但在開始一段，由於外加電壓很低，這時p—n結的內電場對載流子的運動仍起阻擋作用，基本上沒有電流流過p—n結，這一段稱為死區。矽管的死區電壓約為0～0.
5v（圖中ob）之間，鍺管的死區電壓約為0～0.2v（圖中oa）之間。當外加電壓u超過死區電壓以後，電流隨電壓的上公升就增加得很快。
但要注意，電流不要超過其最大允許值，否則將因過熱而損壞管子。並且，在一定的工作電流下，管子的壓降通常越小越好。正向電流和正向壓降是二極體正向特性的兩個主要引數。
當二極體反向接法時，在反向電壓不太高的情況下，只有由少數載流子形成的反向電流，反向是電流的數值僅僅同少數載流子的多少有關，而與反向電壓的大小幾乎無關（室溫下矽管小於幾微字，鍺管因熱激發比矽管容易得多，少數載流子較多，一般為幾十微安）。反向電流是衡量二極體反向特性的乙個重要引數，反向電流大，管子效能差。當反向電壓增加到一定數值時，外電場將半導體內被束縛的電子強行拉出來，造成反向電流突然劇增，這種現象稱為反向擊穿。
一般手冊中均給出最大反向擊穿電壓，注意使用時不要超過這個數值。
從二極體的伏安特性可以看出：
1．二極體是一種非線性元件，它的正向特性和反向特性都是非線性的。
2．二極體具有單向導電性能，即p—n結正嚮導通時電阻很少，反向截止時電阻很大。
3．正嚮導通時，管子的正向壓降很少，一般情況下，矽管約為0.7v，鍺管約為0.3v左右。
4．矽二極體與鍺二極體的主要區別在於：鍺管的正向電流比矽管上公升得快，正向壓降較小。但鍺管的反向電流比矽管的反向電流大得多，所以鍺管受溫度的影響比較明顯。
二極體pn結原理
6樓：___耐撕
pn結是由乙個n型摻雜區和乙個p型摻雜區緊密接觸所構成的，其接觸介面稱為冶金結介面。在一塊完整的矽片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成n型半導體，另一邊形成p型半導體，我們稱兩種半導體的交介面附近的區域為pn結。
在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的n區指向帶負電的p區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。
7樓：神級人氏
pn結在一塊單晶半導體中，一部分摻有受主雜質是 p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時，p型半導體和 n型半導體的交介面附近的過渡區稱為pn結。基本特性 在 p型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離雜質（離子）是固定不動的。
n型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。
因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區（圖1）。p型半導體一邊的空間電荷是負離子,n型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。
二極體如下圖所示：
8樓：eda365網
採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱為pn結（英語：pn junction）。pn結具有單向導電性，是電子技術中許多器件所利用的特性，例如半導體二極體、雙極性電晶體的物質基礎。
9樓：
pn結（pn junction）。採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體製作在同一塊半導體（通常是矽或鍺）基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
p是positive的縮寫，n是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特點。一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱為pn結。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁帶寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。
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