1樓：那偉曄章湉
半導體其含義就介於導電和非導電之間，三極體普遍是矽和鍺材料做成。
pn極的形成是參雜形成的，因此，根據pn極面積大小的不同存在著一定的滲透電流（即穿透電流）。n管的滲透電流在na級，鍺管的滲透電流在μa級。
2樓：網友
摻雜之後的半導體仍然有少子存在（非絕對零度時），icbo就是由少子的漂移形成的電流（與二極體反偏一樣），iceo又與icbo存在一定關係（你的公式），所以有icbo自然就會有穿透電iceo存在。
3樓：周時德
iceo是集電極和發射極之間的反向飽和電流，常稱為穿透電流，值比較小，一般可忽略。它常與基極開路是集電極和發射極之間的反向擊穿電壓有關，當vce增加，使iceo明顯增加時，會導致集電結雪崩擊穿。
4樓：做而論道
雖然集電結是反偏的，雖然基極是開路的，但是，電晶體芯，是塊半導體材料。
半導體材料，又不是絕緣體，加上電壓，就有微弱的電流，這很正常。
從 集電區 向 基區 出現的「反向飽和電流icbo」，在基極沒有出路，就流向發射極了。
這一流動，就形成了乙個ib。這個ib，就引出了乙個貝塔倍的ic；
這個ib和ic之和，就是穿透電流iceo，等於(1+貝塔)icbo。
為什麼基極電流過大，三極體會擊穿？
5樓：匿名使用者
基極電流過大，三極體會擊穿的原因是：
集電極電流是基極的β倍，β=50。因為基極電流增大，那麼集電極電流也會瞬間50倍的增大，使得pn結承壓也瞬間增大，三極體就會被擊穿。
基極是半導體三極體的電極。乙隻半導體三極體有三個電極：分別是發射極、基極和集電極。
半導體管在工作時要加工作電壓，於是就產生了各極電流。半導體三極體在工作時發射極電流等於基極和集電極電流之和。其中基極電流最小，發射極電流最大。
在基極加一很小的電流，在集電極就能輸出很大的電流，因此三極體有放大作用。
6樓：網友
基極電流大，集電極電流會按放大倍數增大，如果集電極電流超過電晶體的最大允許電流，則會發熱損壞。
擊穿是指反向電壓超過電晶體的反向耐壓。
7樓：網友
因為三極體它是由兩個pn結構成發的 基極和發射結之間就是乙個pn結 pn結電流過大的話就會擊穿 那三極體也是一樣的基極電流過大就會擊穿。
如果三極體的基極和發射極有電壓，但是集電極沒有電流，發射極還有電流嗎
8樓：網友
這分四種情況：
1、如果基極和發射極有正偏電壓但正偏電壓小於，那麼可以認為發射極沒有電流。
2、如果基極和發射極有正偏電壓且正偏電壓大於，那麼發射極有正向偏置電流通過。
3、如果基極和發射極有反偏電壓但反偏電壓小於6v，那麼可以認為發射極沒有電流。
4、如果基極和發射極有反偏電壓且反偏電壓大於6v，那麼發射極有基極發射極反向擊穿電流。
請問三極體中的集電極—基極反向飽和電流和穿透電流對電路有什麼影響？ 越詳細越好 謝謝
9樓：網友
1.上偏流電阻減小、下偏流不動，集電極電流上公升直到進入飽和；上偏流電阻增大、下偏流不變，集電極電流減少，直到截止；固定上偏流電阻增加下偏流，集電極電流上公升，減少下偏流電阻直到0值，集電極電流減少直到0.
2.集電極電流太大、太小都會使三極體輸出動態範圍變小，3.體現在飽和失真和截止失真，輸出波形的上、下半波缺失。
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