1樓：匿名使用者
可控矽通過的是數字裝置：
電壓低電流低
速度快封裝小
固態繼電器是功率裝置：
電壓高電流高
速度慢封裝大
2樓：匿名使用者
1、效能特點：
光耦可控矽：電壓低，電流低，速度快，封裝小。
固態繼電器：電壓高，電流高，速度慢，封裝大。
2、工作原理：
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。
當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。
此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向反饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。
狀態說明
從關斷到導通
1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通
1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關
1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
3、基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路，陽極加上反向電壓時，j2結正偏，但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後，接差j3結也擊穿，電流迅速增加，特性發生了彎曲，彎曲處的電壓uro叫“反向轉折電壓”。此時，可控矽會發生永久性反向擊穿。
（2）正向特性
當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，j1、j3結正偏，但j2結反偏，這與普通pn結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，彎曲處的是ubo叫，正向轉折電壓
陽極加正向電壓
由於電壓升高到j2結的雪崩擊穿電壓後，j2結髮生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入n1區，空穴時入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴複合，同樣，進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子複合，雪崩擊穿，進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在n1區就有電子積累，在p2區就有空穴積累，結果使p2區的電位升高，n1區的電位下降，j2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
這時j1、j2、j3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的pn結正向特性相似
4、觸發導通
在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。
3樓：周毅興
固態繼電器裡的器件就是光耦加可控矽
固態繼電器 光耦 區別
4樓：瀟湘客
原理相似，結構不同，所控制的電壓、電流值不一樣。固態繼電器可以簡單地看作由光耦和功率器件串接而成。
5樓：先進光半導體
固態繼電器和光耦是兩種產品，先進光半導體（南方先進電子）。
南方先進電子
先進光半導體
6樓：匿名使用者
光耦在固態繼電器中作為隔離驅動元件，沒有原理的直接比較性。
7樓：專業流浪二十年
光耦以光訊號為媒介來實現電訊號的耦合與傳遞，輸入與輸出在電氣上完全隔離，具有抗干擾效能強的特點。
固態繼電器是一種兩個接線端為輸入端，另兩個接線端為輸出端的四端器件，中間採用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制訊號，達到直接驅動大電流負載。
嚴格來說，原理不一樣。
固態繼電器和可控矽有什麼不一樣
8樓：貫翠花可媼
固態繼電器是以可控矽為基礎和核心發展出來的新型電氣元件。是模組。
9樓：務遠祝煙
可控矽是單個電子元件。
固態繼電器是用可控矽增加了光耦觸發迴路、阻容保護迴路做成的模組。
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