1樓：音響帝國**
這是很普遍的，可控矽逆變就實現此目的。可控矽沒有放大區，只有通斷。
2樓：業餘_電工
通過兩個反併聯的整流電路，可控矽能夠把直流變交流，但沒有電流放大作用。
用可控矽組成整流電路驅動直流電動機時，輸出電壓可以調節，整流電路的形式油還多，如單相/三相、橋式/波式等，這些電路輸入一般都是交流電，而不是直流電。
變交流為直流，再接可控矽，再接電機，這種電路是老式電路，換流很困難，早就淘汰了。
3樓：風兒lamp沙兒
可控矽，簡單說就是用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等的半導體器件。可控矽，是可控矽整流元件的簡稱，是一種具有三個pn結的四層結構的大功率半導體器件。
可控矽廣泛用在整流電路中，即將交流電變成單方向的脈動電流。在逆變器中不能單獨應用可控矽，它僅僅是起乙個開關作用，必須要由振盪電路來控制可控矽的開/關狀態，得到方波形的交流電，再經變壓、濾波，得到較純的正弦波交流電。通過兩個反併聯的整流電路來實現逆變功能，可控矽能夠把直流變交流。
由於可控矽輸入電壓只用來控制可控矽導通，像開關一樣，因此沒有電流放大作用。
可控矽是不是可以調壓，那可控矽是直流控制交流嗎？
4樓：
答案如下：
1、可控矽可以調壓。
2、可控矽可以用在交流電路中，也可以用在直流電路中。用於直流電路時最好使用直流下可關斷可控矽，可控矽主迴路的在導通情況下關斷時，要滿足主迴路電流小於其維持電流的條件才能被關斷，一般可控矽的維持電流在幾毫安——幾十毫安範圍內。控制交流電路時，由於交流電流有過零時刻，可控矽主迴路電流小於維持電流，因此能夠滿足關斷條件。
直流電路中也可以採用產生反向電流的電路使主迴路電流瞬間小於維持電流，而被關斷。
3、用可控矽控制交流的應用很廣泛，單結電晶體交流調壓電路就是一種典型的交流調壓電路。調壓原理是：通過改變單結電晶體發出觸發脈衝的導通角度來控制可控矽的導通時間，來實現交流調壓。
此電路中，單結電晶體是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源。
4、通常在調壓電路中，觸發電路由控制電路產生，控制電路工作在直流電路中。
5、其實，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控矽的控制原理就行了，其最基本的原理就是用觸發脈衝控制可控矽的導通，用較小的觸發電流控制較大電流的負載工作。
可控矽，場效電晶體，三極體的區別？
5樓：她他
場效電晶體 vs 三極體
1、微件不同：
場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2、放大係數：
場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由ib（或ie）控制ic。
3、輸入電阻：
場效電晶體柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。
4、效能不同：
場效電晶體只有多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效電晶體。
6樓：匿名使用者
一、可控矽 vs (三極體/場效電晶體）
1、工作電路不同：
可控矽可以工作在直流電路中，也可以工作在在交流電路中。不過當它用在直流電路中時，一旦觸發，即便觸發電壓消失了，只有陽陰極間電壓存在，它就仍然處於導通狀態。
三極體必須用在直流供電的電路中，這是它的特性決定的。他可以處於放大狀態，用於模擬電路中。也可以僅處於飽和導通和截止兩種狀態，用於開關電路或數位電路中。
2、pn結不同：
可控矽，陽極與陰極間有兩隻反向pn結，用表測量電阻極大;只有門極與陰極是pn結，正反間電阻相差很大;只要電極間符合這個現象的，那就是可控矽了。
三極體，基極對其它兩極都是乙個pn結，當你用表迴圈測量到某個電極對其它兩極都能呈現出低阻或高阻時，那麼基本可以斷定這是三極體
3.控制方面：
三極體是全控的，可以用小電流控制輸出的電流大小。可控矽只能控制通斷，可控矽接通後不能自動截斷，必須有個負電壓才能截斷。
二、場效電晶體vs三極體
1、功能作用不同：
場效電晶體是電壓控制項，而三極體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體。而在訊號源電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應用三極體。
2、微件不同：
場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
3、雜訊係數：
場效電晶體的輸入電阻高，適用於高輸入電阻的場合。場效電晶體的雜訊係數小，適用於低雜訊放大器的前置級。
4、控制器件：
三極體屬於電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流。場效電晶體屬於電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流。
5、型號
三極體是雙極型管子，即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與。而場效電晶體是單極型管子，即管子工作時要麼只有空穴，要麼只有自由電子參與導電，只有一種載流子。
7樓：一笑
場效電晶體 vs 三極體
1．場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2．場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由ib（或ie）控制ic。
3．場效電晶體柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。
4．場效電晶體只有多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效電晶體。
5．場效電晶體在源極水與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極體的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，b值將減小很多。
6．場效電晶體的雜訊係數很小，在低雜訊放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。
7．場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開路電路，但由於前者製造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓範圍寬等優點，因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。
可控矽 vs (三極體 /場效電晶體）
可控矽是一種特殊的二極體，是可控矽整流元件的簡稱。是一種具有三個pn 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩閘流體反向連線而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。
可控矽二極體可用兩個不同極性（p-n-p和n-p-n）電晶體來模擬。當可控矽的柵極懸空時，bg1和bg2都處於截止狀態，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻rl，當柵極輸入乙個正脈衝電壓時bg2道通，使bg1的基極電位下降，bg1因此開始道通，bg1的道通使得bg2的基極電位進一步公升高，bg1的基極電位進一步下降，經過這乙個正反饋過程使bg1和bg2進入飽和道通狀態。電路很快從截止狀態進入道通狀態，這時柵極就算沒有觸發脈衝電路由於正反饋的作用將保持道通狀態不變。
如果此時在陽極和陰極加上反向電壓，由於bg1和bg2均處於反向偏置狀態所以電路很快截止，另外如果加大負載電阻rl的阻值使電路電流減少bg1和bg2的基電流也將減少，當減少到某乙個值時由於電路的正反饋作用，電路將很快從道通狀態翻轉為截止狀態，我們稱這個電流為維持電流。在實際應用中，我們可通過乙個開關來短路可控矽的陽極和陰極從而達到可控矽的關斷。
8樓：匿名使用者
可控矽二極體可用兩個不同極性（p-n-p和n-p-n）電晶體來模擬。當可控矽的柵極懸空時，bg1和bg2都處於截止狀態，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻rl，當柵極輸入乙個正脈衝電壓時bg2道通，使bg1的基極電位下降，bg1因此開始道通，bg1的道通使得bg2的基極電位進一步公升高，bg1的基極電位進一步下降，經過這乙個正反饋過程使bg1和bg2進入飽和道通狀態。電路很快從截止狀態進入道通狀態，這時柵極就算沒有觸發脈衝電路由於正反饋的作用將保持道通狀態不變。
如果此時在陽極和陰極加上反向電壓，由於bg1和bg2均處於反向偏置狀態所以電路很快截止，另外如果加大負載電阻rl的阻值使電路電流減少bg1和bg2的基電流也將減少，當減少到某乙個值時由於電路的正反饋作用，電路將很快從道通狀態翻轉為截止狀態，我們稱這個電流為維持電流。
可控矽 三極體 怎麼區別啊？
9樓：阿牛哥歡迎你
樓上回答好詳細咯。
用萬用表測量時，三極體可以測量到兩個pn結，即有個腳（基極）與其他兩個腳（發射極，集電極）會正嚮導通，反正截止。
而可控矽沒有。
10樓：匿名使用者
scr可控矽 就是兩個三極體，這下可以看懂了吧 ，就是三極體的導通和截止。
11樓：巧峰霜簫
三極體的基極與集電極、發射機有正反相電阻，而可控矽的控制極與陽極和陰極只有乙個有正反向電阻。根據這個就能分別了。
閘流體的觸發訊號如何放大？ 目的是為了解決原有觸發電路輸出的觸發功率不足的問題。
12樓：匿名使用者
你考慮太多,閘流體的額定電流不管多大,它的觸發訊號都是差不多的,用不著放大,這個你可以查一下閘流體的技術引數.
13樓：匿名使用者
閘流體是壓控元件吧？對電流的要求不高吧
14樓：匿名使用者
就一般地開關電路，2023年的工農兵學員就能做到。
用標準的術語來描述，就是同相位、限制最高輸出電壓、恆流驅動電路。
還有更詳細的說明，胡軍逼俺下崗，你要他手下的博導來回答吧。
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