1樓:_碎點點
rh是霍爾係數麼、、、
f=bqv
eh=uh/b
f=eh*q
is=nev(bd)
∴uh=is*b/ned
∴ rh=1/ne
又有kh=1/ned
所以要知道rh,必須知道厚度d
rh=kh*d
霍爾效應實驗計算霍爾係數時公式rh=vd/ib中的b用的是哪個資料
2樓:匿名使用者
b:外磁場,標準
bai單位(dusi)是:特斯拉,zhi符號:t。
uh:霍爾電壓dao,標準單位(知si)是:回伏特,符號:答v;
d:霍爾樣品沿著磁場的尺寸,標準單位(si)是:公尺,符號:m;
is:通過霍爾樣品的電流,標準單位(si)是:安培,符號:a;
霍爾效應是一種磁敏效應,一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場,則在寬度y方向上會產生電動勢uh,這種現象即稱為霍爾效應。
3樓:匿名使用者
在實驗儀器的線圈上有,儀器上標的一般是(4.62 )kgs/a表示的是b/is的大小,其中4.62是你要讀的,每台儀器不一樣
4樓:匿名使用者
環境磁感應強度與霍爾流體方向垂直的分量
關於霍爾效應的霍爾係數
5樓:文子
半導體上外加與電流方向垂直的磁場,會使得半導體中的電子與空回穴受到不同方向的答洛倫茲力而在不同方向上聚集,在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場,電場力與洛倫茲力產生平衡之後,不再聚集;
此時電場將會使後來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力,使得後來的電子和空穴能順利通過不會偏移,這個現象稱為霍爾效應。而產生的內建電壓稱為霍爾電壓。
方便起見,假設導體為乙個長方體,長度分別為a、b、d,磁場垂直ab平面,電流經過ad,電流i = nqv,n為電荷密度。設霍爾電壓為vh,導體沿霍爾電壓方向的電場為vh / a。設磁感應強度為b。
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