1樓:匿名使用者
壓u與電子電量bai
的乘積等於光電子的du最大初動能。e*u=ekm初=zhim*vm^2 / 2h*v=ekm初+wv是入射dao
光頻版率,w是材料逸出功所以
權u=(h / e)v-(w / e) 斜率為h/e 只要h e不變斜率不變
光電效應實驗中,為了減少測量截止電壓的誤差,採取了什麼措施
2樓:微排同夢人
1、採用準確度高的數字儀表測量電壓和電流,特別是微電流表效能要好,這是最大的前提.
2、調節電壓的時候要慢點,因為電流表往往反應較慢3、對於暗電流較小的光電管,建議採取零點法,取電流為零時的電壓值為截止電壓;對於暗電流較大的光電管,可以採取拐點法.即曲線斜率變化最大的地方,實際資料並不會突變,只是會變化快一點,也可以畫出曲線後手工判斷拐點位置.
達到以上條件的,實測h可以到2%以內
在光電效應的實驗中,某同學用同一光電管在不同實驗條件下得到了三條光電流與電壓的關係曲線,如圖所示.
3樓:筄璸璔剸豀凷
光電流恰bai為零,此時光電管兩du端加的電壓為截
zhi止電壓,dao對應的光的頻率為截止頻率,可內知容,乙光的乙光對應的截止頻率小於丙光的截止頻率,
根據eu截=12mv
2m=hhγ-w,入射光的頻率越高,對應的截止電壓u截越大.甲光、乙光的截止電壓相等,所以甲光、乙光的頻率相等;
丙光的截止電壓大於乙光的截止電壓,所以丙光的頻率大於乙光的頻率,則乙光的波長大於丙光的波長;
丙光的截止電壓大於甲光的截止電壓,所以甲光對應的光電子最大初動能小於於丙光的光電子最大初動能.
更換不同的光電管,對應的截止頻率也將不同;
由圖可知,甲的飽和電流大於乙的飽和電流,而光的頻率相等,所以甲光的光強大於乙光的光強
故a、d錯誤,b、c、e正確.
故選:bce.
從截止電壓與入射光頻率的關係曲線中,能確定陰極材料的逸出功嗎
4樓:drar_迪麗熱巴
可以確定。
在直角座標系中坐出us(截止電壓)和v(頻率)的關係曲線,實驗表明曲線是一條直線,證明愛因斯坦光電效應方程的正確性。該直線的斜率即為h/e ,h為蒲朗克常量。而該直線的延長線與us軸的截距為ws/e,ws為材料的逸出功。
因此,可以確定材料逸出功,只要用縱截距乘以單位電荷的電量即可。
電子從金屬中逸出,需要能量.增加電子能量有多種方法,如用光照、利用光電效應使電子逸出,或用加熱的方法使金屬中的電子熱運動加劇,也能使電子逸出.本實驗用加熱金屬,使熱電子發射的方法來測量金屬的逸出功。
在通常溫度下由於金屬表面與外界(真空)之間存在乙個勢壘wa,所以電子要從金屬中逸出必須至少具有能量wa,在絕對零度時電子逸出金屬至少需要從外界得到的能量為
w0=wa-wf=eφ
w0稱為金屬電子的逸出功,其常用單位為電子伏特(ev),它表徵要使處於絕對零度下的金屬中具有最大能量的電子逸出金屬表面所需要給予的能量,wf為費公尺能級.φ稱為逸出電位,其數值等於以電子伏特表示的電子逸出功。
熱電子發射就是用提高陰極溫度的辦法以改變電子的能量分布,使其中一部分電子的能量大於wa,使電子能夠從金屬中發射出來.因此,逸出功的大小對熱電子發射的強弱具有決定性作用。
5樓:淚也鎝堅持
在直角座標系中坐出us(截止電壓)和v(頻率)的關係曲線,實驗表明曲線是一條直線,證明愛因斯坦光電效應方程的正確性。該直線的斜率即為h/e ,h為蒲朗克常量。而該直線的延長線與us軸的截距為ws/e,ws為材料的逸出功。
因此,可以確定材料逸出功,只要用縱截距乘以單位電荷的電量即可。
6樓:想飛的小鴨子
可以 書上有公式
7樓:劉氏臥虎藏龍
比較難,主要是不知道材料
從截止電壓與入射光頻率的關係曲線中,能確定陰極材料的逸出功嗎
8樓:各種新人類
在直角座標系中坐出us(截止電壓)和v(頻率)的關係曲線,實驗表明曲線是一條直線,證明愛因斯坦光電效應方程的正確性。該直線的斜率即為h/e ,h為蒲朗克常量。而該直線的延長線與us軸的截距為ws/e,ws為材料的逸出功。
因此,可以確定材料逸出功,只要用縱截距乘以單位電荷的電量即可。
9樓:龍華告訴他
遇止電壓:當光電流為零時的電壓
與入射光頻率的關係:hυ=elul+a(l代表絕對值符號)
不確定的,你也是中南大學的 這實驗我也要做 呵呵 無語 你是今天晚上的不??
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