1樓：漢經鄺白薇
遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子型別不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下，輕參雜矽材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（vs），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(vs)。
遷移率主要影響到電晶體的兩個效能：
一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由於電子的遷移率一般高於空穴的遷移率，因此，功率型mosfet通常總是採用電子作為載流子的n溝道結構，而不採用空穴作為載流子的p溝道結構.
二是影響器件的工作頻率。雙極電晶體頻率響應特性最主要的限制是少數載流子渡越基區的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，電晶體的截止頻率與基區材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高電晶體的開關形影速度。
2樓：殳碩
載流子遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度。更微觀的定義是,是載流子有效質量，電子碰撞時間間隔。
半導體散射機構如何影響載流子遷移率進而影響半導體導電性。
3樓：匿名使用者
主要是摻入的雜質種類和數量、以及工作溫度，從而影響到載流子濃度和遷移率，結果使得半導體的電導率發生變化。
遷移率是指載流子在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子型別不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於hole。如室溫下，低摻雜矽材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（vs），而hole的遷移率僅為480cm^2/(vs)。
影響電子遷移率的因素有哪些,中重金屬遷移轉化的因素有哪些
遷移率主要受材料內部的散射因素影響。其中包括聲子散射 雜質散射 缺陷散射等。其中聲子散射在高溫時影響比較大。雜質散射隨摻雜濃度增加而增加。遷移率和載流子濃度的乘積決定了半導體的導電特性，參雜增加載流子濃度增加，電導率增加，但是當參雜過多時將使遷移率減小，從而使電導率減小。因此利用重參雜的方法可以製備...
非簡併半導體的遷移率和擴散係數之間有什麼聯絡
採用複雜的量子統計分布函式來討論，其中載流子遵從經典的boltzmann統計分布的半導體就是專非簡併屬半導體。另，載流子即容易出現量子特性，這時的載流子就是簡併載流子。以簡併載流子導電為主的半導體就是簡併半導體，否則，若是以非簡併載流子導電為主的半導體就是非簡併半導體。前兩種情況是可以人為控制的。所...