1樓：
當ib x β > ic 時就可以認為是飽和了，飽和的特點是ic不會隨著ib的增加而增加。
2樓：京北俠客
三極體飽和城導通狀態；不飽和狀態一般就是放大狀態。
3樓：泰和數控
三極體飽和後c、e 間視為短路.三極體截止後c、e 間視為開路.
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點:
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝0.
7v（鍺管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e 間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces 很小，ics 最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e 間視為短路。
三極體截止狀態下的特點:
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco 可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e 間的截止電阻rce＝uce／ic，uces 很大，等於電源電壓，ics 極小，c、e 間電阻rce 很大，所以，三極體截止後c、e 間視為開路.
.三極體放大狀態下的特點:
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝0.
7v（鍺管ube＝－0.3v），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v 以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，ib 與ic 成唯一對應關係。
當ib 增大時，ic 也增大，並且1b 增大一倍，ic 也增大一倍。所以，ic 主要受ib 控制而變化，且ic 的變化比ib 的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
三極體飽和區時uces和uce的區別 15
4樓：匿名使用者
一、指代不同
1、三極體uces：即飽和狀態，指電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態（即開態）.電晶體的工作狀態。
二、原理不同
1、三極體uces：飽和狀態工作時，發射結和集電結都處於正偏，則導電很好、電流較大，這時輸出的集電極電流ic只決定於外電路的參量。
2、uce：負載兩端的電勢差引起電壓降。
三、作用不同
1、三極體uces：在積體電路晶元中採用外延層和埋層的目的，都是為了在保持較高擊穿電壓的條件下來減小集電極串聯電阻、以降低飽和壓降。
2、uce：是電流流動的推動力。如果沒有電壓降，也就不存在電流的流動。
5樓：祿過
uces是三極體集電極與發射極之間的飽和電壓，s代表saturation。
uce是三極體集電極與發射極之間的電壓。在三極體處於飽和導通的情況下的uce就是uces。
此外，三極體的工作狀態有三種：截止狀態、放大狀態、飽和狀態。
6樓：匿名使用者
uces是三極體的飽和電壓，指三極體工作在飽和狀態時的集電極與發射極之間的壓降,s代表saturation,uces不是定值,當三極體工作在飽和狀態時,基極電流越大飽和越深,uces越小,一般uces電壓在0.3v左右。uce是三極體集電極與發射極之間的壓降，當三極體工作在截止狀態和放大狀態時,集電極與發射極之間的電壓為uce，此時的uce電壓很大，但略小於於電源。
7樓：匿名使用者
飽和：基極電壓高於集電極電壓，基極0.7v，集電極約0.3v截止：基極0v或接近0v，集電極接近電源電壓；
放大：基極0.3——0.6v，集電極電源電壓一半左右。
uces不是定值，會隨集電極電壓高底而變化
對於三極體飽和狀態的理解
8樓：匿名使用者
你的理解沒有錯抄誤，理解到這襲種程度已經下了功夫了。但確實還有一點問題，主要在於：
1、過於在意「極電結正偏」了。其實，在飽和區，即便是極電結正偏，也還沒有達到極電結的正嚮導通電壓。不過，一般人都會被「正偏」誤導。
2、飽和的含義：集電極電流是隨著基極電流的增大而增大的，當集電極電流增大到一定程度時，再增加基極電流，集電極電流不再隨著增加了，這種現象就叫做飽和。而「三極體如工作在飽和狀態，那麼就是雙結正偏」是現象或因果關係，也不算解釋。
飽和的實質正是由於集電結正偏而使ic脫離了與ib的線性關係（請複習三極體構造）。
3、三極體的飽和狀態，是包括ic趨於0的狀態的，這一點請自已體會、理解。
4、通過給三極體發射結加上正嚮導通偏壓，同時給集電結加上正偏，三極體一定是在飽和區（一定不在放大區，包含ic為零的情形）。
以上這些關鍵點，補課也補不來的。當然，不學的人也看不到這個問題。
9樓：魚骨
感想:射極保證正偏下，基極電流的流入，會拉動集電極相對基極的電壓，從而會拉動集電極正反偏的走向，從而產生的飽和，臨界，放大
10樓：吾皇黑馬
1.在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使專電晶體進屬入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和；
3.飽和區的現象就是：二個pn結均正偏，ic不受ib之控制
11樓：
但是為啥書上總說飽和狀態集電極電流最大呢，根據特性曲線，不是應該放大狀態集電極電流最大嗎
12樓：
恭喜你，你來對三極體源的工作狀態有了更深一步的理解，你這樣理解是正確的，
其實除了書本上提到的發射結正偏、集電結正偏是判斷三極體是否處於飽和狀態外，還有乙個方法也可以用來判斷三極體是否處於飽和狀態，就是集電結零偏，發射結正偏。
13樓：匿名使用者
理解正確
復!集電極電流是隨製著基極電流的增大而增大的，當集電極電流增大到一定程度時，再增加基極電流，集電極電流不再隨著增加了,管子就飽和了,隨著基極電流的繼續增加,還會達到一種叫做深度飽和狀態,管子壓降很低,如果此時在電路中沒有限制電流的裝置,極易將三極體燒毀.
14樓：和藹的小粉紅
三極體復
飽和結合實際電路來解釋
制會更容易(就是書上的基本共射放大電路那個圖。)當訊號從零增大，使發射結正偏，在外電源vcc作用下集電極結反偏，電路處於放大狀態，並且隨著訊號增大，ib增大，ic=βib，ic增大，rc兩端電壓也增大，vcc是一定的，加在集電極結兩端電壓慢慢減小(uce減小)，到某一時刻，集電結電壓減小到零，此時三極體就要飽和了，因為集電結馬上就要反偏了，ib再大，ic也不會再增大了。
飽和最關鍵的就是uce是減小到一定程度，就會達到飽和，所以書上說uce＜ube，ube＞uon，三極體處於飽和狀態。
15樓：割以永制
不知道我想得對不對，可以討論一下。
要想使ib增大必須要ub增大，假設uc不變，那麼ubc會增內大（原先容ubc是小於零的，這裡逐漸向零趨近並大於零，ubc大於零時集電結正偏），這樣從發射極注入基區的電子流會在ubc（假設已經大於零）的抑制作用下減少向集電極的流動，即ic會逐漸減小至零。
倘若ub增大時，uc也增大並且ubc始終小於零即集電結始終反偏，這樣的話無論ib再怎麼增大，ic始終等於一定倍數的ib而不會飽和。
16樓：匿名使用者
延伸乙個問題，請教一下：
假如在三極體處於放大狀態時，給集電極ic外灌乙個很大的電流，此時ic=β*ib還成立嗎？
另外，uce是不是只跟供電的vcc有關？它是個控制量還是被控量？它到底與什麼有關？
17樓：冷段香
我覺復得你對電路的理解有點幼稚制，乙個確定的接好的電路，它在乙個時刻只可能有一種狀態，就比如說你知道了這個地方的電流，你就能用實物的電阻推算這個電路的一切，而你卻將電流和電壓的絕對對應的變化分開來討論(當然，器件理想)，你的根基並不紮實。我覺得這個問題 只要器件理想，你可以跟據實際測試結果或者電腦模擬結果來推理過程，用大腦想像，簡化模型，歸納。。。等等方法，這才是正途(或許最後你會發現結果不那麼重要或者發現震驚世界的東西，哈哈。。)
怎麼判斷乙個三極體是不是開關管，怎樣判斷導通時一定是飽和狀態 10
18樓：匿名使用者
樓主這個思路都不對，把問題想得太簡單了。對於三極體來說，工作在開關狀態就意味著三極體工作於非線性狀態，要麼截止要麼飽和。使三極體截止一般比較容易，飽和的話就要詳細計算了。
導通的三極體，如果處於線性放大狀態，就會滿足公式ic=βib，隨著ib的增大，ic也會增大，但ic的增大是有限度的，當ic增大到極限不能再隨著ib的變化而變化時，三極體就飽和了，此時ic<βib。因此，能不能讓三極體飽和，首先你要清楚ic的最大值是多少，這是樓主需要計算的。其次，你還要了解這款三極體的β值大概是多少，已知這兩個引數後，就可以計算出使三極體飽和所需要的基極電流ib。
至於你所關注的基極電阻rb，就是在已知ib和驅動電路提供的驅動電壓的情況下，根據歐姆定律r=u/i計算出的。為了可靠飽和，通常實際的ib要比計算值略大一些，但過大的ib會增大驅動電路的負擔，同時增大了三極體的發熱量。
三極體飽和狀態和不飽和狀態的區別是什麼？
19樓：泰和數控
三極體飽和後c、e 間視為短路.三極體截止後c、e 間視為開路.
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點:
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝0.
7v（鍺管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e 間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces 很小，ics 最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e 間視為短路。
三極體截止狀態下的特點:
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco 可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e 間的截止電阻rce＝uce／ic，uces 很大，等於電源電壓，ics 極小，c、e 間電阻rce 很大，所以，三極體截止後c、e 間視為開路.
.三極體放大狀態下的特點:
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝0.
7v（鍺管ube＝－0.3v），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v 以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，ib 與ic 成唯一對應關係。
當ib 增大時，ic 也增大，並且1b 增大一倍，ic 也增大一倍。所以，ic 主要受ib 控制而變化，且ic 的變化比ib 的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
三極體是怎麼進入飽和狀態的，對於三極體飽和狀態的理解
在特性曲線的起始部分，不同ib值的各條曲線幾乎重疊。這是由於vce很小時，ic基本上不隨ib而變。稱為飽和現象。發射結正偏集電結反偏是放大 都正偏是飽和 都反偏是截至 所謂正反偏就是與基極的電壓差，正就是正偏，反就是反偏 這個我推薦你先搞懂 pn節工作原理 接著再往下就能推出來三極體 發射極e 集電...
NPN,三極體飽和時候的一點問題，求解答
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