1樓：青川小舟
你的理解前大半都正確，飽和時，集電極電流達到了最大值，集電極電阻上的壓降vrc接近vcc。具體以npn矽管解釋，vcc=vrc+vce，這時的vce僅有0.3v左右，小於vbe，所以基極與集電極之間是正偏的。
只是0.3遠小於0.7 但遠還不到導通的壓差。
2樓：匿名使用者
應該按照書上給的式子更容易理解：ic=βib，ic會隨ib的增加而增加的，要注意的是：集電極與發射極電壓vce是等於電源電壓vcc減去集電極電阻上的電壓rc*ic得到的（vce=vcc-rc*ic），當rc*ic大到使得“vce小到基極和集電極之間電勢差為0或者基極與集電極之間正偏時“，視為飽和，這時集電極與發射極之間電壓vce已經非常小了（0.
3v）相當於短路了，即使再增加基極電流vce都無法再小，當然ic也就無法增加了，一般基極與發射極之間電壓vbe為0.7v，而vce可以到0.3v，所以基極與集電極之間會正偏的，而且電流也會由b流向c，這種情況應該避免。
3樓：光軍光
從理論上說，不管是npn還是pnp都是空穴導電的，而不是電子、、、
“npn三極體飽和”電流導通已到極點（不能再大了）
4樓：
好像你沒必要理解這麼深吧，如果不是學微電子的，可以深學，要是直接用，知道飽和，截止，放大區的物理意義及其區別，注意，不是所有的知識都要學，而是要術業有專攻。
5樓：匿名使用者
這樣理解比較合適，可以認為c集是一個電子流通道，通道上均勻的分佈電子，當飽和的時候，可以認為c集通道完全開啟了，放大狀態只有部分開啟，完全開啟後通道兩側電阻近似為0
三極體是怎麼進入飽和狀態的，對於三極體飽和狀態的理解
在特性曲線的起始部分，不同ib值的各條曲線幾乎重疊。這是由於vce很小時，ic基本上不隨ib而變。稱為飽和現象。發射結正偏集電結反偏是放大 都正偏是飽和 都反偏是截至 所謂正反偏就是與基極的電壓差，正就是正偏，反就是反偏 這個我推薦你先搞懂 pn節工作原理 接著再往下就能推出來三極體 發射極e 集電...
三極體飽和狀態和不飽和狀態的區別
當ib x ic 時就可以認為是飽和了，飽和的特點是ic不會隨著ib的增加而增加。三極體飽和城導通狀態 不飽和狀態一般就是放大狀態。三極體飽和後c e 間視為短路.三極體截止後c e 間視為開路.三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外 在放大區 三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態...
三極體問題，關於三極體的問題。
你還沒理解清電壓和電流的概念,或者說電壓電流的換算,另外,沒分清靜態工作點與訊號放大狀態,三極體是電流型元件,b極僅僅加上電壓 內阻極大 是不工作的,或者說不穩定的,一定要有電流 內阻較低 才行,其實基極需要的是電流,發射結也有固定的內阻,這電流經過內阻,上面就有了電壓,反過來,低內阻的電壓加在發射...