1樓：我是乙個麻瓜啊
igbt單管和mos管的區別：
1、從結構來說，以n型溝道為例，igbt與mosfet（vdmos）的差別在於mosfet的襯底為n型，igbt的襯底為p型。
2、從原理上說igbt相當與乙個mosfet和乙個bipolar的組合，通過背面p型層的空穴注入降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流等問題。
3、從產品來說，igbt一般用在高壓功率產品上，從600v到幾千伏都有；mosfet應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右。
mos就是mosfet的簡稱
2樓：
igbt在結構上是npn行mosfet增加乙個p結，即npnp結構，在原理上是mos推動的p型bjt；
多的這個p層因內有載流子，有電導調製作用，可以使igbt在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此igbt可以做到很高電壓（目前最大6500v），但由於載流子存在，igbt關斷是電流會拖尾，關斷速度會減低；
mos就是mosfet的簡稱了；
igbt和mos是全控器件，是電壓型驅動，即通過控制柵極電壓來開通或關斷器件；可控矽是半控器件，電流型驅動，即給柵極通一定的電流，可以是可控矽開通，但是一旦開通，就不受柵極控制，將柵極的電壓電流訊號去除，仍然保持開通，只用流過可控矽的電流減小，或可控矽ak兩端加反壓，才能關斷；
igbt和mos頻率可以做到幾十上百khz，但可控矽一般在1khz以內。
mosfet與igbt區別
3樓：匿名使用者
從結構來說，以n型溝道為例，igbt與mosfet（vdmos）的差別在於mosfet的襯底為n型，igbt的襯底為p型；從原理上說igbt相當與乙個mosfet和乙個bipolar的組合，通過背面p型層的空穴注入降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流等問題；從產品來說，igbt一般用在高壓功率產品上，從600v到幾千伏都有；mosfet應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右；
4樓：匿名使用者
igbt是mosfet與gtr的復合管
igbt和mos管的區別？
5樓：風吹基基揚
焊機用igbt管和mos管的區別
mos管一般用在小功率焊機上，mos管一般特性就是小電流比較穩定，成本低廉，小型號民用機用的比較多。igbt一般用在大功率焊機上，穩定性和頻率比mos管更穩定，只是造價比較高，一般用在工業焊機。
根據焊機結構來說，mos管在逆變電源裡使用數量比較多，單個安數在9-20a，做到較大型號的焊機，400a或者500a的時候使用數量在32-40個，長時間容易出現頻率不齊的問題。igbt一般都是兩個模組，只需要根據焊機型號來選擇模組安數就可以了。肯定是igbt的好用。
igbt是普遍用在工業機型上的元器件，耐壓、電流安數、瓦數都要大很多。
6樓：梁丘鴻遠冒睿
首先乙個從外形上面區別：igbt
絕大多數是to-3p封裝，要大一些。mos管大部分為to220封裝要小一些。（當然不能說絕對）其次如果從元件內部去分析。
一般igbt，裡面是內建有一顆快恢復二極體，而mos管一般沒有。所以igbt一般是有兩個晶圓的，mos只有乙個。可以看電路圖和引數說明。
希望以上可以幫到你。
7樓：匿名使用者
igbt是mos管與大功率電晶體的復合管。它的輸入特性類似mos管而輸出特性類似電晶體。跟mos管一樣都是電壓控制的，擁有高頻和低靜態功耗的特點，但是卻可以跟電晶體一樣應用於大電流條件下
mosfet和igbt的區別
8樓：八維教育
從結構來說，以n型溝道為例，igbt與mosfet（vdmos）的差別在於mosfet的襯底為n型，igbt的襯底為p型；從原理上說igbt相當與乙個mosfet和乙個bipolar的組合，通過背面p型層的空穴注入降低器件的導通電阻，但同時也會引入一些拖尾電流等問題；從產品來說，igbt一般用在高壓功率產品上，從600v到幾千伏都有；mosfet應用電壓相對較低從十幾伏到1000左右.
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