1樓：
導通內阻用工具無法測量，但是可以根據以下公式判斷：r=u/i。也即，導通時候電流i可以測量，mos管壓降u可以測量（供電電壓減去負載電壓）。
這個方法是曾經做電機驅動時候的計算方式，但是，導通內阻跟vgs有一定關係，也就是說mos沒有完全導通時候內阻會大，畢竟mos是電壓驅動型器件。
另外手冊上的rds（on）基本上就是該元件典型的內阻，只要完全導通，誤差不很大。
mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。mos管的source和drain是可以對調的，他們都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。
這樣的器件被認為是對稱的。
2樓：哎呀沃去
電子負載這東西本身就有一定的技術含量,不是那麼方便的.
簡單的說,mos管為核心的電子負載就是相當於乙個pwm控制的電子開關,通過改變占空比,來改變輸出電流的時間長短（也就是單位時間中,mos管導通的比例）,以此改變平均電流大小,然後根據中學裡的電阻發熱公式改變熱量大小.
mos管的導通電阻真的很重要嗎
3樓：斜陽紫煙
當然。那是管子產生損耗的一部份。例如導通電阻0.5歐與1歐，在同樣電流下管子損耗就差一倍。需要的散熱裝置就要複雜很多。同時電路效率也差很多。
4樓：醋軍強
導通電阻肯定很重要的，這關乎耗散功率；其他引數一樣重要，選時一併要考慮，如:觸發導通時間、耐壓…
5樓：哎呀沃去
電子負載這東西本身就有一定的技術含量,不是那麼方便的.
簡單的說,mos管為核心的電子負載就是相當於乙個pwm控制的電子開關,通過改變占空比,來改變輸出電流的時間長短（也就是單位時間中,mos管導通的比例）,以此改變平均電流大小,然後根據中學裡的電阻發熱公式改變熱量大小.
6樓：匿名使用者
在導通情況下，用萬用表測量電阻值是不准的。根據戴維南定理，二埠網路的電阻是兩個支路電阻的併聯值。因此，要串個萬用表測電流，在導通情況下，再使用另乙個萬用表測量其ds。
電阻等於電壓除以電流。當然，這是簡單測法，更高階的測法，需要得出測試曲線，求得rdson的值、
實在不行換乙個 或者在硬之城上面找找這個型號的資料
7樓：
肯定很重要啊。在導通情況下，用萬用表測量電阻值是不准的。根據戴維南定理，二埠網路的電阻是兩個支路電阻的併聯值。
因此，要串個萬用表測電流，在導通情況下，再使用另乙個萬用表測量其ds。電阻等於電壓除以電流。當然，這是簡單測法，更高階的測法，需要得出測試曲線，求得rdson的值、 實在不行換乙個 或者在硬之城上面找找這個型號的資料
cmos.mos管導通電阻
8樓：匿名使用者
導通電阻的大小是bai
一種非線du性變化，跟zhigs兩端電壓有關，如果daougs=ugs(th)時，一般這個電阻大概有內幾容歐到幾十歐，當ugs=8~10v時，這個電阻會下降到零點幾歐甚至零點幾毫歐，非常小。
這方面屬於半導體物理領域，作為電子工程師需要知道這個特性，但不需要去關心它為什麼這樣，只要會用就可以了。
9樓：天蠍文庫
導通電阻與所加的訊號有關，不是固定的。
10樓：匿名使用者
這個要看cmos工作在什麼狀態，飽和還是線性
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