1樓：匿名使用者
(1)晶圓製造：以si為例。目前業界主流的ic都是基於si的，所以我們需要先獲得加工的原材料，就是高純度的矽了。
提煉出高純度的矽之後，我們就考慮如何獲得具有相同晶向的單晶矽，廠商會首先通過拉晶的方法得到一根一根的矽碇，通俗表示式通過一塊籽晶在熔融的液態矽上拉獲得的，在此過程中可以進行n或者p型的摻雜，然後將其打磨，拋光，切片，拋光。產業界所用的矽片都是雙面拋光的了，如果你沒見過，我告訴你矽片的樣子看著就像中間沒有洞洞的光碟。目前t**c主要在用12寸晶圓，不斷有說其在推進18寸晶圓。
一塊晶元上就可以加工得到許許多多相同的ic。然而一塊純矽片是不夠的，我們還需要在純矽兩側鍍上氧化層(以後簡寫為oxi)，基於矽得天獨厚的優勢，可以輕易在爐管中加溫通氧氣獲得天然氧化層sio2絕緣層，這一層是很薄的，.但對***s工藝具有相當重要的意義。
(2)晶圓加工：這裡大概會重複20-30道主流的工藝，它們主要有：clean、爐管、涂光阻、**、軟/硬烤、顯影、去光阻、蝕刻、摻雜(注入、擴散)、退火、鍍銅（我會用金屬濺鍍sputter）、去銅（做interconnects）等。
上面的步驟是需要重複的。對於傳統ic而言，大致是：在晶圓表面製作出cmosfet及各種電阻電容，再用8層立體金屬連線將最底下這些器件按照圖紙連起來。
而在3d ic中更需要tsv、對準、bonding等步驟將兩層wafer粘合到一起成為一塊3d的晶元。
(3)電性測量：經過上述步奏，一片圓形的晶元上出現許多小格仔，每乙個格仔就是我們希望得到的晶元的雛形了，之後需要測量一下加工完畢的**的i-v,c-v等電氣特性等，是有專門的測量儀器通過探針在打在兩側的金屬或poly上掃瞄分析完成的，我做實驗時候用的四個探針，不知道產業界如何。
(4)切割、封裝：這一步是在封裝廠裡做的，晶圓廠（如t**c）將加工完成的完整晶元運送至晶元封裝廠（如日月光），封裝廠通過裝置將晶元(wafer)切割，得到許多相同的晶粒(die)，此時的晶元會比我們在市場上看到的cpu或記憶體小而薄得多，這是因為它們還沒有封裝。封裝即是將die固定在塑料或陶瓷基座上，並引出許多引腳，最後用膠水密封。
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