1樓：匿名使用者
在二極體迴路串聯乙個小電阻，如一歐的，測量其電壓輸入到示波器。然後去二極體兩端的電壓輸入到示波器。將示波器調到xy工作模式就行了。
具體的電流座標比例關係將隨你取的取樣電阻的大小不同而有所不同。若為一歐，就為1：1，不用換算了
如何在示波器上顯示二極體的伏安特性曲線？
2樓：匿名使用者
伏安特性曲線，橫座標是電壓，縱座標是電流。用示波器的特別掃瞄方式來實現。
下面是我畫的圖，也請批評指正。
示波器的用法比較特殊，a測量二極體的電壓。 b測量電流，這個電流是負值（b通道要將極性顛倒過來）。
掃瞄方式選 b/a。
函式波形可選鋸齒波。我這裡用的三角波代替也是一樣的。
下面是示波器圖
3樓：匿名使用者
如圖所示，iv分析儀即可！
如何使用示波器顯示二極體的正向伏安特性曲線
4樓：匿名使用者
示波器不能測三極體的特性，要用電晶體圖示儀才能測量。
5樓：姚松蘭娰戊
伏安特性曲線，橫座標是電壓，縱座標是電流。用示波器的特別掃瞄方式來實現。
下面是我畫的圖，也請批評指正。
示波器的用法比較特殊，a測量二極體的電壓。 b測量電流，這個電流是負值（b通道要將極性顛倒過來）。
掃瞄方式選 b/a。
函式波形可選鋸齒波。我這裡用的三角波代替也是一樣的。
下面是示波器圖
二極體的伏安特性曲線利用示波器的測量原理是什麼啊？求指點！
6樓：匿名使用者
測量晶體二
極管、三極體的特性曲線用的是特性示波器，入jt-i、qt-2等，但它們的原理都是一樣的。測量二極體伏安特性是在二極體上加以正向電壓和反向電壓，二極體對施加的檢測電壓的值通過示波器的垂直放大電路的放大後加到示波管的垂直極板，水平放大電路將掃瞄電壓加到示波管的水平極板進行掃瞄，由此在示波管上可以進行二極體的正向特性和反向特性的顯示。
如還有不明白的可繼續提問。
用示波器側二極體伏安特性曲線的電路圖
7樓：匿名使用者
用示波器側二極體伏安特性曲線很簡單，只要將示波器x輸入為電壓訊號，y輸入為電流訊號就可以了。
如圖，將a通道輸入為電流訊號（r1上的電壓，對應為ma/v），b通道輸入為電壓訊號（二極體兩端的電壓），將輸入設定為a/b，得到的就是二極體伏安特性曲線了。在中心右邊是正向伏安特性曲線，左邊是反向伏安特性曲線。調節b通道的顯示比例可觀察到整個的反向伏安特性曲線。
用示波器顯示穩壓二極體的伏安特性曲線實驗的電路圖
8樓：匿名使用者
如果有圖示儀，就很方便了！用示波器的話，你要有三角波發生器，乙個通道通過取樣電阻取二極體電流值，另一通道取二極體電壓值！
9樓：匿名使用者
就是採集穩壓管的電壓訊號送x軸、電流訊號送y軸：
詳見
二極體伏安特性曲線的研究實驗？？？
10樓：匿名使用者
首先要測試二極體的正向v-i曲線，記錄下不同電流下對應的壓降值，然後繪製出曲線，在曲線上去兩點，計算等效串聯內阻，r=(v2-v1)/(i2-i1)
如何快速測量出二極體的伏安特性曲線？
11樓：匿名使用者
從二極體的特性曲線上可以具體而直觀地看出各種二極體的效能。這條曲線按照其特點可分為死區、正嚮導通區、反向截止區和反向擊穿區4部分，下面分別進行分析。
(1)死區
當二極體上加的正向電壓比較小時，所形成的外部電場還不足以克服pn結內所建電位差對載流子的阻擋作用，因此二極體基本上處於不導通的狀態，即曲線的oa段。
當二極體上外加的正向電壓大於一定值對，就會克服內建電位差的阻擋，使二極體的電阻變小，流過二極體的電流迅速增大。使二極體電流迅速增大的這個臨界電壓稱為死區電壓，因為它像是門檻一樣，所以有人稱它為門檻電壓。超過這個電壓後，二極體的正向電流開始明顯增長，所以也稱它為導通電壓。
死區電壓的大小與半導體材料和環境溫度有關，一般室溫下（25℃時）鍺二極體為0.2v左右，矽二極體為0.6v左右，溫度每公升高1℃它們都大約降低2.5mv。
(2)正嚮導通區
如圖1-35中的ab段，當正向電壓超過死區電壓時，電流隨電壓的公升高顯著增大，就進入了正嚮導通區。通常所說的二極體正向電流就是指在曲線上正向電壓為1v時對應的正向電流值。
在二極體的正向特性曲線上，各點的電壓與電流的比值並不是常數，所以，各點的直流電阻並不相等，也就是對應不同的正向直流電壓（或電流）下具有不同的直流電阻。
圖1-36是用500型萬用表的歐姆擋xl0和×100兩擋測量二極體2ap14正向直流電阻的電路。萬用表的電池電壓e=1.5v，×10 -擋的電阻為r1=1ooω×100 一擋的電阻為r2=1kω。
用×10擋測量時，由於電阻小，所以通過二極體的電流就大，此電流在圖1-37所示的二極體2ap14正向特性曲線上對應工作點是q1，這時二極體上通過的電流為9ma，二極體兩端電壓為0.6v，那麼二極體的直流電阻為0.6/9=67ω；用×100擋測量時，由於表內電阻大，所以通過二極體的電流就小，在圖1-37所示的正向特性曲線上對應工作點是q2，這時二極體上通過的電流為1.
2ma，端電壓為0.3v，那麼，二極體的直流電阻為0.3/1.
2×10-3=250ω。 用萬用表的不同電阻擋去測量二極體的正向直流電阻時，測出的電阻值是不同的，這是由於它處於特性曲線上的不同位置。
(3)反向截止區
當二極體的兩端加上反向電壓時，pn結呈現出乙個非常大的電阻值，因此流過二極體的電流非常小，二極體處於截止狀態，特性曲線的這一段稱為反向截止區，即圖1-35中的oc段。這時p區和n區的少數載流子在pn結內建電位差電場力的作用下順利地通過，表現出乙個與電壓（在一定範圍內）關係不大的反向飽和電流，再加上pn結表面的一些漏電流，總的反向電流在室溫下小功率鍺二極體約為幾百微安，小功率矽二極體約為幾微安。二極體的反向電流隨溫度的公升高而增大，一般溫度每公升高10℃電流大約就會增大一倍，鍺二極體本來反向電流就比較大，所以在應用時要特別注意。
(4)反向擊穿區
當二極體上外加的反向電壓高到一定值時，有可能因外加的電場過強而把被束縛在pn結中的電子強行拉出，使少數載流子數目劇增，也可能由於強電場引起電子與原子碰撞，產生大量新的載流子，這兩種因素都會引起反向電流的急劇增大，稱為電擊穿，這時二極體的工作狀態就進入了反向擊穿區，如圖1-35所示的cd段。二極體開始出現電擊穿的電壓叫作反向擊穿電壓。
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