1樓：熱心網友路人甲
5v是耐壓值，22mf是電容量，22mf＝22000uf。
電容1mf=1000μf。
在國際單位制裡，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是f，由於法拉這個單位太大，所笑禪以常用的電容單位有毫侍公升櫻法（mf）、微法（μf）、納法（nf）和皮法（pf）等，換算關係是：
1法拉（f）=1000毫法（mf）=1000000微法（老叢μf）1微法（μf）= 1000納法（nf）=1000000皮法（pf）。
2樓：網友
1）場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
3）它是利用多數載陸跡流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
4）它組成的放滑悉唯大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
5）場信培效應管的抗輻射能力強；
6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒雜訊，所以雜訊低。
3樓：達克寧
溝道mosfet（假設vt(>0) 為開啟電壓，vp(<0）為截止電壓）
a) 增強型：
開啟條件： ；vds > 0；vt > 0b) 耗盡型：叢基。
vds >0；vt> 0
截皮改止條件滲握謹：vgs < vp
結型場效電晶體電壓放大倍數
4樓：萌萌萌
通過對實驗箱上結型場效電晶體的測試認識n溝道j eet場效電晶體的電壓放大特性和開關特性。給mos管放大電路加輸入訊號為：正弦波vpp=200mv-500mv, f=2khz o 測量輸入電阻時輸入端的參考電阻r s=680k。
二。實驗主要儀器。
三極體萬用表示波器訊號源及其他電子元件。
三。實驗原理。
場效電晶體放大器效能分析。
閣6-1為結型場效電晶體組成的共源級放大電路。其靜態工作點u c s=ug-u s=-
i d=i dss( 1-^)
屮頻電壓放人倍數 ay—一gi rr/ =gn-rt ) rl
輸入電阻 r, -rg+rr l//rg 2
輸出電阻 r o^rn
式中跨導g.可由特性曲線用作圖法求得或用公式。
計算。但要注意計算時us要用靜態工作點處之數值。
輸入電阻的測量方法。
場效電晶體放人器的靜態工作點、電壓放人倍數和輸出電阻的測量方法與實驗二。
1/5頁。中電晶體放大器的測量方法相同。其輸入電阻的測量從原理上講也可採用實驗二屮所述方法但由於場效電晶體的ri比較大如直接測輸入電壓u和認，則限於測量儀器的輸入電阻有限必然會帶來較大的誤差。
因此為了減小誤差常利用被測放大器的隔離作用通過測量輸出電。
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結型場效電晶體與三極體類似 三極體用於小訊號放大，如1a級別的功率放大而場效電晶體用於幾十a的功率器件 如電動車的控制器等場合 結型場效電晶體按照三極體的分類，有npn和pnp兩種代表符號中的箭頭表示的意思就是由p指向n 對於pmos管和nmos管 若箭頭對外，則代表裡面個溝道是p溝道 即該mos管...
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