記憶體時序由什麼決定，記憶體時序怎麼設定？

1樓：匿名使用者

總的來說就是越低越好。

記憶體的實際當前延遲設定主要是由主機板決定的，也就是說主機板設定什麼，記憶體執行什麼。

spd資訊只能幫助而不是決定主機板對引數的設定。

所以你的時序與spd不一致情況很正常。

此外，你有三根記憶體，很可能不同記憶體之間spd時序資訊不同（非常可能，你的記憶體容量差距太大），甚至有的雜牌記憶體無spd資訊，主機板需要在記憶體spd資訊中選擇最保守時序以保證系統的穩定性。

延遲的單位是時鐘週期（比如你的記憶體時脈頻率是133mhz），那麼延遲3@133的意義就是延遲3* 1/133m 秒；而2@100下，延遲是2* 1/100m 秒。

頻率越高，週期越短，同時工作頻率高，干擾大，響應速度要求高，延遲往往不得不拉高以保證穩定。

2樓：匿名使用者

記憶體時序是一種引數，一般儲存在記憶體條的spd上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：cas latency（簡稱cl值）記憶體cas延遲時間，他是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把cl值印在記憶體條的標籤上。

ras－to－cas delay（trcd），記憶體行位址傳輸到列位址的延遲時間。row－precharge delay（trp），記憶體行位址選通脈衝預充電時間。row－active delay（tras），記憶體行位址選通延遲。

這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主機板的bios中可以設定，記憶體模組廠商也有計劃的推出了低於jedec認證標準的低延遲型超頻記憶體模組，在同樣頻率設定下，最低「2-2-2-5」這種序列時序的記憶體模組確實能夠帶來比「3-4-4-8」更高的記憶體效能，幅度在3至5個百分點。

3樓：姒雅蕊夔芝

記憶體的時序是由頻率決定的，頻率越高，時序越高，相對效能越底，ddr3比ddr2時序高也就是因為頻率更高的緣故。

記憶體時序怎麼設定？

4樓：龍之喵喵豬

記憶體時序是一種引數，一般儲存在記憶體條的spd上，設定方式如下：

1、f12進入bios，在bios設定中找到「dram timing selectable」。

2、bios設定中可能出現的其他描述有，automatic configuration，auto，timing selectable，timing configuring by spd等，將其值設為「menual」（視bios的不同可能的選項有：on/off或enable/disable）。

3、記憶體是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tras。

4、預充電後，記憶體才真正開始初始化ras。一旦tras啟用後，ras（row address strobe ）開始進行需要資料的定址。

首先是行位址，然後初始化trcd，週期結束，接著通過cas訪問所需資料的精確十六進位位址。期間從cas開始到cas結束就是cas延遲。所以cas是找到資料的最後乙個步驟，也是記憶體引數中最重要的。

5樓：七彩虹科技****

需要在bios中開啟手動設定，在bios設定中找到「dram timing

selectable」，bios設定中可能出現的其他描述有：automatic configuration、dram auto、timing

selectable、timing configuring byspd等，將其值設為「menual」（視bios的不同可能的選項有：on/off或enable/disable），如果要調整記憶體時序，應該先開啟。

手動設定。