1樓：網友
一、n型半導體。
n型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
形成原理。摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。 對於鍺、矽類半導體材料，摻雜ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的乙個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。
族化合物半導體的施主往往採用ⅳ或ⅵ族元素。 某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是n型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。
二、p型半導體。
p型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
形成。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。
由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
特點：一）、n型半導體。
由於n型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故n型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能就越強。
二）、p型半導體。
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。
2樓：網友
光敏半導體，熱敏半導體。
基本的半導體器件有哪些?它們的結構、工作原理、功能特點?
3樓：繁城在
以下是一些常用的半導體器件的小清單。根據裝置的物理結構，下表分為二端裝置和三端裝置。
兩端半導體器件。
二極體。肖特基二極體。
發光二極體 (led)
diac齊納二極體。
光電二極體（光電電晶體）
pin diode
雷射二極體。
隧道二極體。
光電池。太陽能電池。
耿氏二極體。
衝擊二極體。
tvs 二極體（瞬態電壓抑制二極體）
vcsel（垂直腔面發射雷射器）
三端半導體器件。
雙極電晶體。
場效應電晶體。
絕緣柵雙極電晶體 (igbt)
達林頓電晶體。
可控矽整流器 (scr)
雙向可控矽。
閘流體。單結電晶體。
還有一些四端半導體，如光耦合器（光電耦合器）和霍爾效應感測器。
半導體器件的應用。
如前所述，半導體器件是幾乎所有電子器件的基礎。半導體器件的一些應用是：
電晶體是微處理器等各種積體電路中的主要元件。
事實上，它們是構建邏輯閘和其他數位電路的主要部件。
電晶體也用於類比電路，如放大器和振盪器。
半導體有哪些特性？
4樓：來這看看
半導體主要具有三大特性：
1.熱敏特性。
半導體的電阻率隨溫度變化會發生明顯地改變。例如純鍺，溼度每公升高10度，它的電阻率就要減小到原來的1／2。溫度的細微變化，能從半導體電阻率的明顯變化上反映出來。
利用半導體的熱敏特性，可以製作感溫元件——熱敏電阻，用於溫度測量和控制系統中。
值得注意的是，各種半導體器件都因存在著熱敏特性，在環境溫度變化時影響其工作的穩定性。
2.光敏特性。
半導體的電阻率對光的變化十分敏感。有光照時、電阻率很小；無光照時，電阻率很大。例如，常用的硫化鎘光敏電阻，在沒有光照時，電阻高達幾十兆歐姆，受到光照時。
電阻一下子降到幾十千歐姆，電阻值改變了上千倍。利用半導體的光敏特性，製作出多種型別的光電器件，如光電二極體、光電三極體及矽光電池等。廣泛應用在自動控制和無線電技術中。
3.摻雜特性。
在純淨的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發生極大的變化。例如。在純矽中摻人。
百萬分之—的硼元素，其電阻率就會從214000ω·cm一下於減小到，也就是矽的導電能為提高了50多萬倍。人們正是通過摻入某些特定的雜質元素，人為地精確地控制半導體的導電能力，製造成不同型別的半導體器件。可以毫不誇張地說，幾乎所有的半導體器件，都是用摻有特定雜質的半導體材料製成的。
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