1樓:
靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質有關。靜電放電形式:
電暈放電
(1)電暈放電:是發生在帶電體尖端或曲率半徑很小處附近的區域性放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒有引燃危險。
刷形放電和傳播型刷形放電
(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當絕緣體背面緊貼有金屬導體時,絕緣體正面將出現傳播型刷形放電。
同一絕緣體上可發生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險;傳播型刷形放電的引燃危險性大。
火花放電
(3)火花放電:是帶電體之間發生的通道單一的放電。火花放電有明亮的閃光和有短促的爆裂聲。其引燃危險性很大。
雷型放電
(4)雷型放電:是懸浮在空間的大範圍、高密度帶電粒子形成的閃電狀放電。其引燃危險性很大。
2樓:匿名使用者
靜電放電通常是一種電位較高、能量較小,處於常溫常壓下的氣體擊穿。按放電形式的不同,主要有電暈放電、刷形放電和火花放電三種形式。
3樓:胖虎愛看電視
hbm人體放電模式:
hbm人體放電模式是esd模型中建立*早的模型之一,在ic製造和使用過程中,ic接觸的機會,由靜電損傷造成ic失效的比例,而且在實際應用中,工業界也大多採用hbm模式來標註ic的靜電等級.該模式指在地上走動、摩擦或者其他因素在上已積累了靜電,當此人直接接觸ic時,靜電便會經ic管腳進入ic內,再由ic放電到地.此放電過程會在短至幾百納秒的時間內產生數安培的瞬間放電電流,此電流會把ic內部元件燒毀.
mm機器放電模式:
機器本身積累了靜電,當此機器接觸ic時,該靜電便經過ic管腳放電.金屬製造的機器放電等效電阻,因此其放電過程更短,在幾納秒到幾十納秒之內會有數安培的瞬間放電,因此對元件的壞力更大.
靜電放電有哪三種模式? 30
4樓:花開
常見的靜電放電模式:
1. hbm,人體放電模型,即帶電人體對器件放電,導致器件損壞。放電途徑為:人體——器件——地。
2.mm,機器模型,即帶電裝置對器件放電,導致器件損壞。放電途徑為:機器——器件——地。
3.cdm,帶電器件模型,即帶電器件直接對敵放電。放電途徑為:器件——地。
4.ficdm,感應放電模型,即器件感應帶電後放電。途經:電場——器件帶電——地。
1.hbm:human body model,人體模型:
該模型表徵人體帶電接觸器件放電,rb 為等效人體電阻,cb 為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件 hbm 模型的 esd 等級。
esd人體模型等效電路圖及其esd等級
2.mm:machine model,機器模型:
機器模型的等效電路與人體模型相似,但等效電容(cb)是 200pf,等效電阻為 0,機器模型與人體模型的差異較大,實際上機器的儲電電容變化較大,但為了描述的統一,取 200pf。由於機器模型放電時沒有電阻,且儲電電容大於人體模式,同等電壓對器件的損害,機器模式遠大於人體模型。
esd機器模型等效電路圖及其esd等級
3.cdm:charged device model,充電器件模型:
半導體器件主要採用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中,由於管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑膠袋、傳 遞用的塑料容器等)相互磨擦,就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的乙個極板而存貯電荷。
cdm 模型就是基於已帶電的器件通過管腳與地接觸時,發生對地放電引起器件失效而建立的,器件帶電模型如下:
esd充電器件模型等效電路圖及其esd等級
器件的 esd 等級一般按以上三種模型測試,大部分 esd 敏感器件手冊上都有器件的 esd資料,一般給出的是 hbm 和 mm。
通過器件的 esd 資料可以了解器件的 esd 特性,但要注意,器件的每個管腳的 esd 特性差異較大,某些管腳的 esd 電壓會特別低,一般來說,高速埠,高阻輸入埠,模擬埠 esd電壓會比較低。
5樓:最愛學歌
帶電人體的靜電放電模式、帶電機器的放電模式和充電器件的放電模式等三種模式
1.帶電的人體的放電模式(hbm)
由於人體會與各種物體間發生接觸和磨擦,又與元器件接觸,所以人體易帶靜電,也容易對元器件造成靜電損傷。普遍認為大部分元器件靜電損傷是由人體靜電造成的。帶靜電的人體可以等效為圖1.
5的等效電路,這個等效電路又稱人體靜電放電模型(human body model)。其中,vp帶靜電的人體與地的電位差,cp帶靜電的人體與地之間的電容量,一般為50-250pf;rp人體與被放電體之間的電阻值,一般為102-105ω
人體與被放電體之間的放電有兩種。即接觸放電和電弧放電。接觸放電時人體與被放電之間的電阻值是個恆定值。
電弧放電是在人體與被放電體之間有一定距離時,它們之間空間的電場強度大於其介質(如空氣)的介電強度,介質電離產生電弧放電,暗場中可見弧光。電弧放電的特點是在放電的初始階段,因為空氣是不良導體,放電通道的阻抗較高,放電電 流較小;隨著放電的進行,通道溫度公升高,引起區域性電離,通道阻抗逐漸降低,電流增大,直至達到乙個峰值;然後,隨著人體靜電能量的釋放,電流逐漸減少,直至電弧消失.
2.帶電機器的放電模式
機器因為摩擦或感應也會帶電。帶電機器通過電子元器件放電也會造成損傷。機器放電的模型(machine model)如圖1.
6所示。與人體模式相比,機器沒有電阻,電容則相對要大。
3.充電器件的放電模型 (cdm)
在元器件裝配、傳遞、試驗、測試、運輸和儲存的過程中由於殼體與其它材料磨擦,殼體會帶靜電。一旦元器件引出腿接地時,殼體將通過芯體和引出腿對地放電。這種形式的放電可用所謂帶電器件模型(charged-device model,cdm)來描述。
下面以雙極型和mos型半導體器件為例給出靜電放電的等效電路。
靜電的放電形式有哪幾種?
6樓:中地數媒
靜電放電一般是因帶電物體產生的靜電場達到空氣絕緣擊穿場強(約30千伏1釐公尺)時而產生的電離現象。產生靜電放電時,儲存於帶電物體的靜電能量,作為放電能量而釋放於空氣中,變為熱量、聲音、光、電磁波等而消耗。這種放電能量變化時,就會引起可燃性物質著火,成為靜電災害、故障的產生原因。
(1)電暈放電。電暈放電一般是在非均勻電場中電場強度極高的部分,發生區域性電離的放電。
電暈放電多為連續性放電,但能量密度小,所以產生靜電災害的故障概率就低。特別是使用纖維狀導體發生的電暈放電,成為可燃性物質火源的概率極小。所以使用自感應放電式消電器,就是利用電暈放電原理工作的。
(2)刷狀放電(射光放電)。刷狀放電(也稱射光放電)一般伴隨著「啪」的較強聲響,在帶電很多的物體(一般為非導體)與離其數釐公尺以上的較平滑形狀的接地導體之間易產生這種放電。另外在電暈放電過程中,當靜電場增強,電離進一步擴充套件時也有可能發生刷狀放電。
由於刷狀放電的放電能量密度比電暈放電大,所以易於成為靜電災害和故障的原因。由帶電的紙、塑料、液體、粉體等產生的刷狀放電,成為可燃性氣體蒸氣與空氣混合氣體火源的概率一般比較高。
(3)火花放電。火花放電是在帶電物體與接地導體的形狀都較平滑時,伴隨著強烈的聲響和一條發光而在人氣中突然產生的放電。火花放電一般在帶電物體為導體時易於產生。
火花放電屬集中放電,放電時間短(屬納秒級),放電間隙因放電短路成為全路放電,放電能量密度大,所以易於引起靜電災害和故障。因接地不良而呈絕緣狀態的帶電金屬物體、人體等導體產生的火花放電,成為可燃性氣體蒸氣、可燃性粉體著火源的概率極高。
(4)沿表放電。沿表面放電是在帶電物體背面附近有接地導體,帶電物體表面電位上公升被抑制的情況下,帶電量非常大時,沿著帶電物體表面發生的放電。
雷狀放電是浮游在空氣中的帶電粒子形成空間電荷雲時,閃電發光的同時產生的放電。雷狀放電是在空間電荷雲的規模及電荷密度都很大的情況下產生的。由於雷狀放電的放電能量極大,所以作為一切可燃性物質(可燃性氣體蒸氣、粉塵)引火源的概率高。
雷狀放電一般在承壓的液體、液化氣等噴出時,或產生大規模空間電荷雲時,有產生的危險。
7樓:蓬仁貝緞
帶電人體的靜電放電模式、帶電機器的放電模式和充電器件的放電模式等三種模式
1.帶電的人體的放電模式(hbm)
由於人體會與各種物體間發生接觸和磨擦,又與元器件接觸,所以人體易帶靜電,也容易對元器件造成靜電損傷。普遍認為大部分元器件靜電損傷是由人體靜電造成的。帶靜電的人體可以等效為圖1.
5的等效電路,這個等效電路又稱人體靜電放電模型(human
body
model)。其中,vp帶靜電的人體與地的電位差,cp帶靜電的人體與地之間的電容量,一般為50-250pf;rp人體與被放電體之間的電阻值,一般為102-105ω
人體與被放電體之間的放電有兩種。即接觸放電和電弧放電。接觸放電時人體與被放電之間的電阻值是個恆定值。
電弧放電是在人體與被放電體之間有一定距離時,它們之間空間的電場強度大於其介質(如空氣)的介電強度,介質電離產生電弧放電,暗場中可見弧光。電弧放電的特點是在放電的初始階段,因為空氣是不良導體,放電通道的阻抗較高,放電電
流較小;隨著放電的進行,通道溫度公升高,引起區域性電離,通道阻抗逐漸降低,電流增大,直至達到乙個峰值;然後,隨著人體靜電能量的釋放,電流逐漸減少,直至電弧消失.
2.帶電機器的放電模式
機器因為摩擦或感應也會帶電。帶電機器通過電子元器件放電也會造成損傷。機器放電的模型(machine
model)如圖1.6所示。與人體模式相比,機器沒有電阻,電容則相對要大。
3.充電器件的放電模型
(cdm)
在元器件裝配、傳遞、試驗、測試、運輸和儲存的過程中由於殼體與其它材料磨擦,殼體會帶靜電。一旦元器件引出腿接地時,殼體將通過芯體和引出腿對地放電。這種形式的放電可用所謂帶電器件模型(charged-device
model,cdm)來描述。下面以雙極型和mos型半導體器件為例給出靜電放電的等效電路。
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