1樓：匿名使用者
通常我們所說的cpu的「製作工藝」指得是在生產cpu過程中，要進行加工各種電路和電子元件，製造導線連線各個元器件。通常其生產的精度以微公尺（長度單位，1微公尺等於千分之一公釐）來表示，未來有向奈米（1奈米等於千分之一微公尺）發展的趨勢，精度越高，生產工藝越先進。在同樣的材料中可以製造更多的電子元件，連線線也越細，提高cpu的整合度，cpu的功耗也越小。
製造工藝的微公尺是指ic內電路與電路之間的距離。製造工藝的趨勢是向密集度愈高的方向發展，。密度愈高的ic電路設計，意味著在同樣大小面積的ic中，可以擁有密度更高、功能更複雜的電路設計。
微電子技術的發展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進，使得器件的特徵尺寸不斷縮小，從而整合度不斷提高，功耗降低，器件效能得到提高。晶元製造工藝在2023年以後，從0.5微公尺、0.
35微公尺、0.25微公尺、0.18微公尺、0.
15微公尺、0.13微公尺、90奈米一直發展到目前最新的65奈米，而45奈米和30奈米的製造工藝將是下一代cpu的發展目標。
提高處理器的製造工藝具有重大的意義，因為更先進的製造工藝會在cpu內部整合更多的電晶體，使處理器實現更多的功能和更高的效能；更先進的製造工藝會使處理器的核心面積進一步減小，也就是說在相同面積的晶圓上可以製造出更多的cpu產品，直接降低了cpu的產品成本，從而最終會降低cpu的銷售**使廣大消費者得利；更先進的製造工藝還會減少處理器的功耗，從而減少其發熱量，解決處理器效能提公升的障礙.....處理器自身的發展歷史也充分的說明了這一點，先進的製造工藝使cpu的效能和功能一直增強，而**則一直下滑，也使得電腦從以前大多數人可望而不可及的奢侈品變成了現在所有人的日常消費品和生活必需品。
2樓：申屠躍
指的是cpu的製造工藝
奈米數越低,cpu製造工藝越精良,同樣大小核心上整合的電晶體數量越多,功率越小,效能越強
3樓：匿名使用者
最簡單的回答，45nm和65nm對電腦的明顯影響是發熱量大小，45nm的相對發熱量較少，作為消費者知道這點就夠了
cpu製作工藝中的65nm.45nm. 32nm.22nm.14nm為什麼是這幾個資料？
4樓：
你所說的這些尺寸，是半導體工藝中的特徵尺寸。在數位電路中，電晶體的柵極走線是最細的，所以用柵極線寬來衡量每一代的水平。理論山，每一代之間本著0.
7的比例進行縮小。intel一直是秉承0.7比例的廠家。
而世界第一大fab——台積電（tsmc）和intel相比，自90nm之後，會有乙個過渡代。特徵尺寸並沒有行業標準，大家都是在朝更小的方向去做。在數字邏輯電路中，1nm的效能提公升很有限。
所以，tsmc的28nm工藝和intel的32nm工藝是在同一代的，儘管28nm看似小於32nm。
另外，在半導體儲存器領域，也有特徵尺寸，並不是按照0.7的比例縮小的。而且flash中的電晶體是浮柵管。
所以，nand flash晶元的製程工藝可比cpu混亂多了。因為我們更關注flash晶元的單位面積成本，所以哪怕縮小1nm，也能帶來成本的下降。你所看見的19nm應該就是英特爾鎂光（imft）或者samsung用在flash晶元上的。
現在關於矽基cmos數位電路的製程極限，認為在5nm左右。事實上，早在1、2年前，cmos邏輯的製程發展就已經變得很困難了。目前intel的roadmap上，還是能看見9nm產品的計畫的。
5樓：匿名使用者
cpu製造工藝目前cpu製造工藝是22nm最先進，從65奈米提公升至22奈米根本原因是能耗於發熱問題，於效能無關。
另外若是說為什麼，應為cpu製造是流片的形式，這種形式類似流水線，但是良品率高低取決於技術，技術成熟的話14奈米甚至更小的電晶體都可以順利流片。
另外說一下，現在cpu只有22奈米的流片成功了，不是沒有能力做14奈米的，而是技術不成熟，良品率低，14奈米工藝製造的cpu於22奈米相比，最主要的就是能耗的下降，理論上溫度也會更低。
相同構架下，使用22奈米於14奈米工藝製造的cpu效能沒有任何詫異。
6樓：童蕭
沒啥依據，就是製造的時候的工藝，裡面的電晶體粗細而已，如果是同樣的架構的情況下，更小奈米的cpu會比大奈米的更省電，發熱也更小。當然，不是絕對的，比如現在intel的32奈米和22奈米，22奈米的是3d電晶體，他是豎起來，之間就挨的太近了，熱量散不出，比32奈米的發熱反而大，但是功耗比32的小，當然同架構不同奈米，不會有什麼效能差距。
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