NANDFLASH128MB是什麼意思

2021-03-04 09:01:15 字數 5323 閱讀 5990

1樓:匿名使用者

nand flash應該就是復nand memory吧,就

是指手制機或者mp4的記憶體,就像電腦的記憶體一樣,為程式的執行儲存一些引數變數,斷電後會自動清除。他的大小當然也要影響到手機的執行速度。相關的記憶體資料還有乙個就是free executable ram memory,這個是實際可用記憶體,就是除手機自帶程式佔用的記憶體之外,使用者可以自己支配的記憶體,比如開個**阿,或者開啟個遊戲阿,實際可用記憶體的大小會影響到這些程式的執行速度;

2樓:匿名使用者

你的手機記憶體卡有128兆的儲存空間。

手機裡面的nand是啥意思

3樓:匿名使用者

這裡說的16g絕對不是我們pc機經常說的記憶體,128mb的ram才是記憶體。而16gb的空間相當版於電腦的硬碟,用權

於給使用者儲存資料用的。nand是一種快閃儲存器,也是用於儲存東西的。但是它儲存的東西是作業系統、啟動程式和檔案系統。

我們一般不會直接去操作nand,我們儲存東西就是用那個16g的空間。希望我的回答能夠解決你的疑惑。謝謝

4樓:2008冰河時代

nand是存放手機韌體**的儲存器,比如手機的作業系統、一些應用程式如遊戲等。

c盤存大約在70兆左右

希望可以幫到你

nand flash和nor flash的區別詳解

5樓:暴風錘

flash快閃儲存器是非易失儲存器,可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的,而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由於擦除nor器件時是以64~128kb的塊進行的,執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除nand器件是以8~32kb的塊進行的,執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的效能差距,統計表明,對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時),更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。這樣,當選擇儲存解決方案時,設計師必須權衡以下的各項因素。

1、nor的讀速度比nand稍快一些。

2、nand的寫入速度比nor快很多。

3、nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。

4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

5、nand的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。

二、nand flash和nor flash的介面差別

nor flash帶有sram介面,有足夠的位址引腳來定址,可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。

nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。nand讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。

三、nand flash和nor flash的容量和成本

nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半,由於生產過程更為簡單,nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了**。

nor flash佔據了容量為1~16mb快閃儲存器市場的大部分,而nand flash只是用在8~128mb的產品當中,這也說明nor主要應用在**儲存介質中,nand適合於資料儲存,nand在***pactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。

四、nand flash和nor flash的可靠性和耐用性

採用flahs介質時乙個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說,flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。

五、nand flash和nor flash的壽命(耐用性)

在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

六、位交換

所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發生的次數要比nor多),乙個位元位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯,但是如果發生在乙個關鍵檔案上,這個小小的故障可能導致系統停機。

如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當然,如果這個位真的改變了,就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器,nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候,同時使用

七、edc/ecc演算法

這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然,如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時,必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。

八、壞塊處理

nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發現成品率太低,代價太高,根本不划算。

nand器件需要對介質進行初始化掃瞄以發現壞塊,並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中,如果通過可靠的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。

九、易於使用

可以非常直接地使用基於nor的快閃儲存器,可以像其他儲存器那樣連線,並可以在上面直接執行**。

由於需要i/o介面,nand要複雜得多。各種nand器件的訪問方法因廠家而異。在使用nand器件時,必須先寫入驅動程式,才能繼續執行其他操作。

向nand器件寫入資訊需要相當的技巧,因為設計師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。

十、軟體支援

當討論軟體支援的時候,應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟**和快閃儲存器管理演算法的軟體,包括效能優化。

在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援,在nand器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程式,也就是記憶體技術驅動程式(mtd),nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。

使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些,許多廠商都提供用於nor器件的更高階軟體,這其中包括m-system的trueffs驅動,該驅動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所採用。

驅動還用於對diskonchip產品進行**和nand快閃儲存器的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

6樓:為江山放棄了愛

一、區別

1、介面差別

nor flash帶有sram介面,有足夠的位址引腳來定址,可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。

nand flash使用複雜的i/o口來序列地訪問資料,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。

2、容量和成本不同

nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半,由於生產過程更為簡單,nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了**。

nor flash佔據了容量為1~16mb快閃儲存器市場的大部分,而nand flash只是用在8~128mb的產品當中,這也說明nor主要應用在**儲存介質中,nand適合於資料儲存,nand在***pactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。

3、壽命(耐用性)不同

在nand flash中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而nor flash的擦寫次數是十萬次。nand flash儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢,典型的nand flash塊尺寸要比or flash器件小8倍,每個nand flash儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

二、原理

flash快閃儲存器是非易失儲存器,可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除 操作是十分簡單的,而nor則要求在進行擦除前 先要將目標塊內所有的位都寫為0。

三、用法

一般nor flash 用做記憶體片,或者叫做資料緩衝。而nand flash則一般用來做儲存資料用。比方說,u盤.***等。

擴充套件資料

nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術,徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。

緊接著,2023年,東芝公司發表了nand flash結構,強調降低每位元的成本,更高的效能,並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。但是經過了十多年之後,仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃儲存器。

像「flash儲存器」經常可以與相「nor儲存器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處,因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**,這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。

nor的特點是晶元內執行(xip, execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行,不必再把**讀到系統ram中。nor的傳輸效率很高,在1~4mb的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。

7樓:手機使用者

1、儲存架構不同

nor flash架構提供足夠的位址線來對映整個儲存器範圍。這提供了隨機訪問和短讀取時間的優勢,這使其成為**執行的理想選擇。另乙個優點是100%已知的零件壽命。

缺點包括較大的單元尺寸導致每位元的較高成本和較慢的寫入和擦除速度。

與nor快閃儲存器相比,nand快閃儲存器具有更小的單元尺寸和更高的寫入和擦除速度。缺點包括較慢的讀取速度和i / o對映型別或間接介面,這更複雜並且不允許隨機訪問。值得注意的是,nand flash中的**執行是通過將內容對映到ram來實現的,這與直接從nor flash執行**不同。

2、儲存容量不同

與nor快閃儲存器相比,nand快閃儲存器的密度要高得多,主要是因為其每位元成本較低。nand快閃儲存器通常具有1gb至16gb的容量。nor快閃儲存器的密度範圍從64mb到2gb。

由於nand flash具有更高的密度,因此主要用於資料儲存應用。

3、擦除/讀寫不同

nand快閃儲存器中的擦除操作非常簡單,而在nor快閃儲存器中,每個位元組在擦除之前都需要寫入「0」。這使得nor快閃儲存器的擦除操作比nand快閃儲存器慢得多。例如,nand快閃儲存器s34ml04g2需要3.

5ms才能擦除128kb塊,而nor快閃儲存器s70gl02gt則需要約520ms來擦除類似的128kb扇區。

4、能耗不同

nor快閃儲存器在初始上電期間通常需要比nand快閃儲存器更多的電流。但是,nor flash的待機電流遠低於nand flash。兩個快閃儲存器的瞬時有功功率相當。

因此,有效功率由儲存器活動的持續時間決定。

nor flash在隨機讀取方面具有優勢,而nand flash在擦除,寫入和順序讀取操作中消耗的功率相對較低。

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現在512有些不夠了。如果你玩的遊戲很大 512會爆視訊記憶體的。果斷買512mb 256位。位寬比視訊記憶體重要得多。打個比喻,位寬就像是公路的車道,8車道比2車道流暢得多。保證不塞車。視訊記憶體再大,位寬小也是垃圾顯示卡。根本跑不動。現在很多1g 64bit的顯示卡,純粹忽悠人的。128bit也...